何广宏
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析被引量：3
- 2007年
- 采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反偏压下,响应峰值为313nm,半宽为65nm.同时测试分析了该器件的I-V特性,室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压为70V.实验表明,此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容.
- 何广宏谢家纯郭俊福李雪白钟声林碧霞傅竹西
- 关键词：宽禁带肖特基光谱响应紫外探测
- Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强型光电三极管的研制(英文)被引量：1
- 2006年
- 研究和制作了一种新型Au／n-ZnO／p-Si结构的肖特基发射极、异质结集电极紫外增疆双极型光电三极管．分析了器件原理，测试了I-V特性、C-V特性以及器件的光谱响应，从200到400nm的紫夕流响应灵敏度得到明显增强而对大于400nm的可见光的响应特性得到保留。实验显示Au／n-ZnO／p-Si结构的紫外增强型的光电三极管对紫外光的响应明显增强，对371nm波长的紫外光的灵敏度是普通n-ZnO／p-Si异质结紫外光电二极管道的5～10倍．
- 郭俊福谢家纯段理何广宏林碧霞傅竹西
- 关键词：肖特基异质结
- 基于ZnO、SiC的高性能紫外探测器的研究
- 宽带隙(WBG)半导体材料ZnO具有禁带宽、激子能量大、高化学稳定性和热稳定性等特点，使得目前高质量ZnO材料和器件的制备成为国际上的研究热点之一。ZnO在气体传感器、太阳能电池、紫外光电探测及激光器等许多领域具有广阔的...
- 何广宏
- 关键词：宽禁带半导体材料紫外探测光谱响应
- 文献传递
