宋晓科
- 作品数:6 被引量:0H指数:0
- 供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 相关领域:一般工业技术电气工程理学金属学及工艺更多>>
- 连续生长的双面CeO2种子层均匀性研究
- 采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at%w基带上。成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。x射线衍射表明薄膜均为(001)方向生长,并存在很强的内面外织构;原子力显微镜...
- 熊杰陶伯万韩晓贺镜谭冯啸宋晓科张飞李言荣
- 关键词:涂层导体缓冲层磁控溅射高温超导
- 文献传递
- 高质量2英寸双面YBCO/MgO薄膜的批量化制备
- 2008年
- 开展了2英寸(5.08cm)MgO单晶基片上YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜的制备及工艺稳定性研究。通过对基片表面状态的研究,提出了高温退火处理基片的方法,改善了基片的表平整度,大幅度提高了薄膜的取向性以及结晶质量,制备得到的YBCO薄膜具有优越的超导电性,薄膜临界电流密度J(c77K,0T)≈2.5MA/cm2,微波表面电阻R(s10GHz,77K)≈0.16mΩ,能够满足超导滤波器的设计要求。另外,还就工艺的稳定性和可重复性进行了研究,表明电子科技大学已具有小批量化提供大面积双面YBCO样品的能力。
- 熊杰陶伯万韩晓贺镜谭冯啸宋晓科张飞李言荣
- 关键词:YBCO超导薄膜退火可重复性
- 自缓冲层对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜结构和性能的影响
- 2008年
- 铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系。采用X射线衍射(XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理。3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:α轴择优的BIT薄膜性能最好。
- 张宇左长明王小平宋晓科姬洪
- 关键词:BIT应力摇摆曲线
- 连续生长的双面CeO_2种子层均匀性研究
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at%W基带上,成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。X射线衍射表明薄膜均为(00l)方向生长,并存在很强的内面外织构;原子力显微镜表征缓冲层表面连续平整,颗粒致密无裂纹,通过对长样品两面和不同位置研究,表明所制备得到的双面薄膜具有很好的两面一致性和单面均匀性。采用相同的工艺条件生长YSZ中间层以及CeO2模版层得到CeO2/YSZ/CeO23层缓冲层结构。并在其短样上采用直流溅射生长YBCO薄膜进一步验证过渡层薄膜的质量,YBCO薄膜具有较高的结晶质量;其单面临界电流密度Jc达到1.3MA/cm2,双面带材临界电流Ic为113A/cm。在总厚度增加不大的情况下,双面带材的提出,能够使电流承载水平成倍增加,其工程电流密度大幅度增加,并有利于器件小型化。
- 熊杰陶伯万韩晓贺镜谭冯啸宋晓科张飞李言荣
- 关键词:直流反应磁控溅射
- 金属基带上的氧化物过渡层研究
- 本文采用直流磁控反应溅射法在NI-W5%基带上制备CeO2/YSZ/CeO2(CYC)与Y2O3/YSz/CeO2(YYC)高温超导过渡层薄膜.研究表明,传统的CeO2过渡层易于制备单一c轴取向的薄膜,工艺窗口较宽,而制...
- 柴刚张飞宋晓科张宁熊杰陶伯万
- 关键词:直流磁控反应溅射金属基带高温超导薄膜
- 文献传递
- 高质量2英寸双面YBCO/MgO薄膜的批量化制备
- 开展了2英寸(5.08 cm)MgO单晶基片上YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜的制备及工艺稳定性研究。通过对基片表面状态的研究,提出了高温退火处理基片的方法,改善了基片的表平整度,大幅度提高了薄膜的取向性以及结晶质...
- 熊杰陶伯万韩晓贺镜谭冯啸宋晓科张飞李言荣
- 关键词:超导薄膜退火超导电性电流密度
- 文献传递