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宋美芹

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:中国海洋大学材料科学与工程研究院更多>>
发文基金:山东省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家大学生创新性实验计划更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇掺杂
  • 2篇电致变色
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电致变色薄膜
  • 1篇氧化镍
  • 1篇氧化镍薄膜
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光特性
  • 1篇制备及性能
  • 1篇铜掺杂
  • 1篇透射
  • 1篇透射率
  • 1篇钴掺杂
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇可逆
  • 1篇可逆性
  • 1篇光学
  • 1篇光学性

机构

  • 4篇中国海洋大学

作者

  • 4篇王景
  • 4篇苏革
  • 4篇董征
  • 4篇柳伟
  • 4篇曹立新
  • 4篇赵莉丽
  • 4篇宋美芹
  • 1篇贾波
  • 1篇马德文
  • 1篇陈娜
  • 1篇刘晓云
  • 1篇刘青

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
铜掺杂氧化镍电致变色薄膜的制备及性能被引量:3
2011年
通过电化学沉积法从N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中制备出铜掺杂氧化镍电致变色薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度仪(UV-vis)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、计时阶跃曲线(CA)和循环伏安曲线(CV)对所制备的薄膜进行了形貌、结构、光学以及电化学性能的观测和表征。通过对不同掺杂原子数分数、沉积电位以及沉积时间下所制备薄膜的光学性能的研究,得到了薄膜制备的优化工艺条件。结果表明,在室温下,当掺杂原子数分数比例为1∶8、沉积电压为3.5V和沉积时间为15min时,薄膜具有最佳的电致变色性能,透射率差值最大可达到78.7%;Cu掺杂产生了具有纳米棒状结构的物质,经XRD证实为面心立方型NixCu1-xO;电化学测试结果显示薄膜的响应时间较短,且具有较好的循环寿命。
赵莉丽苏革曹立新柳伟王景董征宋美芹
关键词:电致变色电化学沉积透射率
钴掺杂对氧化镍薄膜电致变色性能的影响被引量:2
2011年
采用恒电位法在FTO玻璃上沉积Co与Ni摩尔比为0.16:1的薄膜,用X射线衍射仪、扫描电镜和能谱仪分析了膜的成分、结构和形貌,用紫外-可见分光光度计表征了膜的透光性能,用循环伏安法表征了膜的电化学稳定性和可逆性,用双电位阶跃法表征了膜的开关响应时间,研究了钴掺杂对氧化镍薄膜电致变色性能的影响。结果表明,钴掺杂使NiO薄膜颗粒更加细小和均匀,提高了薄膜在可见光波段着色态与消色态之间的透光率差值,降低了电致变色反应的工作电压,有利于薄膜在电致变色过程的可逆性,缩短了着色响应时间。
王景苏革曹立新柳伟董征赵莉丽宋美芹
关键词:无机非金属材料电致变色可逆性
硅薄膜的恒电位诱导组装法制备及光学性能
2011年
采用恒电位诱导组装法,在40℃、2.5V恒电位条件下,在FTO导电玻璃上制备硅薄膜,并分别通过循环伏安曲线(CV)、红外光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪对硅薄膜的生长条件、结构、形貌和光学性能进行了系统研究。结果表明,只有当溶液中用于模板剂的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的浓度高于其临界胶束浓度并且在一定的正硅酸四乙酯(TEOS)浓度时,才可以得到岛粒状的硅薄膜。由荧光光谱可知,组装成的硅薄膜经过焙烧,可生成氧缺位的SiOx薄膜,其中x≤2。由于氧缺位,在3.8eV光的激发下有2.5eV的光致发光。
董征刘青苏革柳伟曹立新王景贾波赵莉丽宋美芹刘晓云
关键词:硅薄膜光学性能SIOX
ZnS∶Mn转光粉的制备及性能研究
2012年
通过溶剂热法制备了不同锰离子掺杂量的硫化锌粉体转光剂,并利用SEM、XRD和荧光分光光度计对其形貌、组分、结构及发光性能进行了研究。结果显示,锰离子的掺入影响了硫化锌粉体的粒径,出现晶粒细化的现象。以紫外光作为激发光源,当锰的初始浓度不高于20%时,样品的发光峰通过高斯分峰可分为2个,分别位于465~475nm和570~585nm处;当锰的初始浓度高于20%时,硫化锌的发光峰消失,只出现锰的发光峰(580nm左右),即得到了预期的红色发光。
宋美芹苏革曹立新柳伟赵莉丽董征王景马德文陈娜
关键词:荧光特性掺杂量
共1页<1>
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