张国栋
- 作品数：13 被引量：23H指数：4
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
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- 混成式焦面器件中InSb背面减反/钝化膜研制被引量：4
- 2001年
- InSb凝视焦平面器件(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需在表面沉积减反/钝化膜,增大InSb芯片对红外光的吸收,同时减少载流子的表面复合。本文介绍了采用等离子化学气相沉积(PECVD)方法在几种不同沉积条件下生长的SiO_x,测量其光谱透过率及C-V特性,通过对沉积条件进行优化分析,获得了适合于FPA中InSb芯片的既能有效减反又可以有效降低表面复合的沉积条件。
- 张国栋龚启兵
- 关键词：FPAPECVDSIOX红外探测器
- Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究被引量：5
- 2005年
- 利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简化模型,采用这一模型的结深计算值与实测结果相符。
- 张国栋孙维国倪永平
- 关键词：离子注入INSB平面结光电流
- 一种改善阵列芯片串音的方法
- 本发明属于半导体光电器件技术，涉及一种改善红外焦平面阵列芯片串音的方法。本发明改善阵列芯片串音的方法是：在InSb晶体上掺杂结深为1.3um～1.5um的Cd材料；采用光刻胶进行光刻，化学腐蚀得到待注入的区域的晶体沟道表...
- 刘炜彭震宇张国栋沈祥伟
- 应力制约的InSb焦平面探测器均匀性
- 采用焦平面探测器均匀性作为衡量 InSb 芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb 焦平面探测器的均匀性,取得了响应非均匀性为3.0%的结果。
- 曹光明耿东峰徐淑丽蒲季春杨雪锋李龙何英杰吴伟张国栋付浩
- 关键词：INSB焦平面探测器应力均匀性
- 文献传递
- 电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究被引量：5
- 2009年
- 随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求。采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。
- 朱炳金张国栋张向锋
- 关键词：各向同性表面形貌
- InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究被引量：6
- 2009年
- 利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。
- 张国栋徐淑丽赵鸿燕朱炳金李小宏
- 关键词：INSB
- InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究
- 2012年
- 随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。
- 徐淑丽张国栋
- 关键词：干法刻蚀INSB刻蚀速率
- 偏压等参数对光导PbS焦平面探测器性能的影响被引量：1
- 2010年
- 光导焦平面探测器的性能同其偏压及读出电路的工作参数密切相关。本文研究了采用CTIA型读出电路的1×128线列光导PbS焦平面探测器工作时,探测器偏压、积分时间和读出电路偏置电压对探测器信号、噪声及探测率的影响。实验结果表明：探测器信号、噪声及探测率均随探测器偏压增长而增加,存在一个最佳偏压3 V,使得探测器探测率达到最大;当超过此偏压后,信号电压增量减小,噪声电压增量增加;存在一个最佳积分时间50μs,此时探测器探测率达到最大;存在一个可使用的读出电路偏置电压范围3.35~3.85 V,在此范围内,信号和噪声均随读出电路偏置电压的增加而减小,但探测器探测率基本不变。研究结果对寻找光导PbS焦平面探测器最佳工作条件具有指导意义。
- 侯治锦王巍陈湘伟张国栋王锦春司俊杰
- 关键词：IRFPA光导PBSCTIA
- 感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取被引量：2
- 2012年
- 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。
- 王理文司俊杰张国栋
- 关键词：感应耦合等离子体刻蚀速率
- 64×64元InSb凝视红外焦平面探测器研制被引量：1
- 2001年
- 阐述了InSb凝视红外焦平面器件的结构形成、参数设计以及信号噪声的分析,研究了制造中的技术难点及解决途径,给出了所研制的64×64元InSb凝视红外焦平面探测器的测试结果并进行了分析。
- 龚启兵王海珍王巍张国栋吴伟
- 关键词：结构形式参数设计红外探测器
