朱炳金
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究被引量：5
- 2009年
- 随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求。采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。
- 朱炳金张国栋张向锋
- 关键词：各向同性表面形貌
- InSb红外探测器芯片金丝引线键合工艺研究被引量：6
- 2013年
- InSb红外探测器芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合质量直接决定着光电信号输出的可靠性,对于引线键合质量来说,超声功率、键合压力、键合时间是最主要的工艺参数。从实际应用出发,采用K&S公司4124金丝球焊机实现芯片镀金焊盘与外部管脚的引线键合,主要研究芯片镀金焊盘第一焊点键合工艺参数对引线键合强度及键合区域的影响,通过分析键合失效方式,结合焊点的表面形貌,给出了适合InSb芯片引线键合质量要求的最优工艺方案,为实现InSb芯片引线键合可靠性的提高打下了坚实的基础。
- 朱炳金林磊宋开臣王晶
- 关键词：引线键合超声功率
- InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究被引量：6
- 2009年
- 利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。
- 张国栋徐淑丽赵鸿燕朱炳金李小宏
- 关键词：INSB
- A单位业财协同开展成本管理的实践
- 2024年
- “十四五”之前,A单位的运行发展属于典型的“任务驱动”模式,把按照要求完成科研生产交付任务作为一切工作的中心,对成本管理重视不够,一是没有形成覆盖全生命周期、全生产要素、全产业链条的完整成本管控体系,成本管理职责顶层设计不清晰;二是财务部门与业务部门主要以部门职责为边界各自开展成本管理工作,呈现出分散式管理的特点,成本管控措施未与业务形成有效融合,部门间协同效应难以发挥,难以取得管控实效。
- 李文辉朱炳金刘思超宋春梅
- 关键词：管理职责财务部门全生命周期
- 一种利用高密度等离子体反应刻蚀硫化锌材料的方法
- 本发明公布了一种利用高密度等离子体反应刻蚀硫化锌材料的方法，采用感应耦合等离子(ICP)设备，利用CH<Sub>4</Sub>/H<Sub>2</Sub>/Ar气体感应耦合电离产生的活性高密度等离子体，反应刻蚀ZnS材料...
- 张国栋朱炳金徐淑丽王海珍赵萍司俊杰
