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徐勤志

作品数:76 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域:文化科学自动化与计算机技术电子电信医药卫生更多>>

文献类型

  • 74篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 9篇文化科学
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生

主题

  • 31篇研磨
  • 30篇研磨液
  • 18篇仿真
  • 18篇CMP
  • 16篇化学机械研磨
  • 13篇晶圆
  • 12篇网格
  • 12篇表面形貌
  • 10篇芯片
  • 10篇金属栅
  • 10篇分子
  • 9篇去除率
  • 8篇接触压
  • 8篇接触压力
  • 8篇可制造性
  • 8篇活性剂
  • 8篇高分子
  • 8篇高分子表面活...
  • 8篇版图
  • 8篇表面活性

机构

  • 76篇中国科学院微...

作者

  • 76篇徐勤志
  • 74篇陈岚
  • 17篇曹鹤
  • 15篇刘建云
  • 7篇方晶晶
  • 5篇杨飞
  • 4篇刘宏伟
  • 4篇孙艳
  • 2篇王海永
  • 2篇阮文彪
  • 2篇叶甜春
  • 2篇郭叶
  • 2篇张贺
  • 2篇李志强
  • 2篇杨紫薇
  • 1篇尹明会
  • 1篇王晨
  • 1篇朱义强
  • 1篇张卫华
  • 1篇周欢欢

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 10篇2020
  • 7篇2019
  • 9篇2018
  • 7篇2017
  • 9篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2014
  • 9篇2013
  • 4篇2012
76 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种CMP工艺仿真方法和系统
本发明提供了一种CMP工艺仿真方法和系统,包括:提取网格化的待研磨芯片中任一网格区域内的图形特征参数;根据图形特征参数和膜层淀积速率方程,仿真获得网格区域沉积膜层后的初始表面高度;根据初始表面高度计算网格区域与研磨垫之间...
徐勤志陈岚
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一种化学机械研磨液配置优化的方法
本发明提供了一种化学机械研磨液配置优化的方法,该方法包括:选定化学机械研磨的工艺条件,并获取晶圆特性数据和当前研磨液配置数据;通过高分子参考作用点模型,获取研磨颗粒吸附状态数据;判断所述研磨颗粒吸附状态数据是否满足物理吸...
徐勤志陈岚
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计算晶圆表面研磨去除率的方法
本发明提供了一种计算晶圆表面研磨去除率的方法,该方法包括:a)设定参考平面、划分计算网格并确定研磨垫微扰形变的初始数据;b)根据微扰压力分布和研磨垫微扰形变的相互关系,使用傅里叶变换计算微扰压力分布,并根据外部施加压力和...
徐勤志方晶晶陈岚
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TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质
本发明提供了一种TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:根据TSV阵列排布,求解结构的热应力分布结果,基于热应力分布结果,利用预设算法对TSV阵列的热机械可靠性进行寻优,得到热机械可靠...
刘建云徐勤志曹鹤李志强
一种化学机械研磨工艺中晶圆表面清洗液配置的优化方法
本发明公开了一种化学机械研磨工艺中晶圆表面清洗液配置的优化方法,包括:选定化学机械研磨的工艺条件;根据选定的工艺条件,获取工艺的温度、晶圆特性数据、研磨液配置数据和当前清洗液配置数据;根据以上数据,利用分子动力学模拟法,...
徐勤志陈岚
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一种CMP工艺仿真方法和系统
本申请实施例公开了一种CMP工艺仿真方法和系统,该方法根据研磨材质表面受到的接触应力、研磨垫与研磨材质间的流体动压、研磨液各组分在研磨材质表面的浓度分布以及研磨去除率计算模型,获取研磨去除率。其中,研磨去除率计算模型是综...
徐勤志陈岚杨飞刘建云
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一种抛光粒子的设计方法、抛光粒子及研磨液
本发明公开了一种抛光粒子的设计方法、抛光粒子及研磨液,其中,抛光粒子包括:研磨颗粒;以及,嫁接于所述研磨颗粒上预设数量、预设聚合度和预设类型的表面活性剂分子。由上述内容可知,本发明提供的技术方案,通过在研磨颗粒上嫁接表面...
徐勤志陈岚
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一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法
本发明提供了一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法,其仿真步骤包括:获取铝栅初始高度;依据所述铝栅初始高度,采用铝栅CMP压力分布精确计算模型获取研磨垫和铝栅表面间的压力分布;向铝栅CMP协同计算模型中输入至少包括获...
徐勤志陈岚方晶晶
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一种预测表面活性剂热力学性质的方法及系统
本发明公开了一种预测表面活性剂热力学性质的方法及系统,包括:确定表面活性剂的分子构型,并根据所述分子构型确定作用点;根据表面活性剂分子的几何结构信息,获得其分子内相关函数;根据基于作用点的闭合方程及所述分子内相关函数,构...
徐勤志陈岚
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一种FinFET器件的CMP工艺建模方法
本发明公开了一种FinFET器件的CMP工艺建模方法,包括:基于CMP工艺对FinFET器件进行机理分析,其中,所述机理分析包括:CVD沟槽填充机理分析和CMP工艺研磨机理分析;根据所述机理分析的结果,对所述FinFET...
徐勤志陈岚
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