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刘建云

作品数：29 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：文化科学电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 10篇研磨
  • 10篇研磨液
  • 9篇CMP
  • 8篇平坦性
  • 7篇互连
  • 7篇化学机械研磨
  • 7篇表面形貌
  • 6篇仿真
  • 5篇晶圆
  • 4篇仿真系统
  • 3篇电路
  • 3篇去除率
  • 3篇芯片
  • 3篇互连结构
  • 3篇集成电路
  • 3篇版图
  • 2篇动压
  • 2篇多层互连
  • 2篇再磨
  • 2篇设计阶段

机构

  • 29篇中国科学院微...

作者

  • 29篇刘建云
  • 27篇陈岚
  • 15篇曹鹤
  • 15篇徐勤志
  • 4篇张贺
  • 4篇孙艳
  • 3篇杨飞
  • 2篇刘宏伟
  • 2篇王海永
  • 2篇郭叶
  • 2篇李志强
  • 2篇石显锋
  • 1篇方晶晶
  • 1篇尹明会
  • 1篇王晨
  • 1篇朱义强
  • 1篇张卫华
  • 1篇周欢欢

年份

  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2015
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种表面形貌仿真的方法及系统
本发明公开了一种表面形貌仿真的方法及系统，包括：(1)实时获取晶圆与研磨垫接触区域的弹性形变量；(2)根据所述弹性形变量计算所述接触区域内研磨垫与晶圆之间的接触力；(3)根据所述接触力计算所述晶圆表面的研磨去除率；(4)...
刘建云陈岚徐勤志
TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质
本发明提供了一种TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：根据TSV阵列排布，求解结构的热应力分布结果，基于热应力分布结果，利用预设算法对TSV阵列的热机械可靠性进行寻优，得到热机械可靠...
刘建云徐勤志曹鹤李志强
一种获取保持环的最佳工艺参数的方法
本发明提供了一种获取保持环的最佳工艺参数的方法，包括：建立化学机械研磨系统的有限元分析模型，包括抛光垫、晶圆、设置在晶圆外围的保持环、以一定的压力将晶圆和保持环压在抛光垫上的夹持器；确定分析模型的边界条件，并将抛光垫、晶...
刘建云陈岚
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CMP仿真方法和装置、研磨去除率的获取方法和装置
本申请公开了一种CMP仿真方法和装置，该仿真方法用于模拟研磨液对晶圆的化学协同作用，该仿真方法包括：获取化学机械研磨中的研磨粒子与晶圆之间的接触压力F、研磨粒子的直径D以及研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度H<Sub>w...
刘建云陈岚孙旭
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芯片自毁系统以及方法
本发明公开了一种芯片自毁系统以及方法，本发明技术方案可以通过采集电路采集被保护芯片所处环境参数，所述处理器可以基于所述环境参数判断是否满足自毁条件，在满足所述自毁条件时，产生控制信号，用于驱动升压电路为所述保护芯片提供设...
刘建云陈岚
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CMP仿真方法和装置、研磨去除率的获取方法和装置
本申请公开了一种CMP仿真方法和装置，该仿真方法用于模拟研磨液对晶圆的化学协同作用，该仿真方法包括：获取化学机械研磨中的研磨粒子与晶圆之间的接触压力F、研磨粒子的直径D以及研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度H<Sub>w...
刘建云陈岚孙旭
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一种多层互连线结构的CMP仿真方法和仿真系统
本发明提供了一种多层互连线结构的CMP仿真方法和仿真系统，包括：获取芯片的版图数据，所述版图数据包括从下往上依次排布的第1层互连线至第n层互连线的表面形貌数据，n为大于或等于2的整数；对所述第1层互连线进行CMP仿真，获...
刘建云陈岚
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28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用
陈岚尹明会秦毅王海永张贺徐勤志张卫华彩虹朱义强周欢欢王晨刘建云孙艳曹鹤刘宏伟
该项目属于集成电路设计技术领域。 1.研究目的： 集成电路工艺已经进入28nm及以下工艺节点，集成电路产品已经不能仅仅依靠产品的市场定位和市场推广来获得成功，必须要有先进纳米集成电路设计产业化关键技术的保障和支撑；同样，...
关键词：
关键词：集成电路设计纳米芯片
一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统
本申请提供一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统，通过考虑钨金属与研磨液之间的化学反应，以及钨金属和研磨垫间的机械去除反应，建立W CMP化学反应动力学模型和流体动力学模型，然后求解力平衡方程，最终建立一种W CMP多物...
徐勤志陈岚曹鹤刘建云
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一种CMP工艺仿真方法和系统
本申请实施例公开了一种CMP工艺仿真方法和系统，该方法根据研磨材质表面受到的接触应力、研磨垫与研磨材质间的流体动压、研磨液各组分在研磨材质表面的浓度分布以及研磨去除率计算模型，获取研磨去除率。其中，研磨去除率计算模型是综...
徐勤志陈岚杨飞刘建云
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