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张小稳

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇背栅
  • 3篇电极
  • 3篇栅介质
  • 3篇金属
  • 3篇沟道
  • 2篇电栅
  • 2篇栅介质材料
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇介质
  • 2篇光敏
  • 2篇光敏器件
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关比

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇朱宏伟
  • 5篇徐建龙
  • 5篇谢丹
  • 5篇张丞
  • 5篇张小稳
  • 4篇李娴
  • 2篇李志鑫
  • 2篇杨埔
  • 1篇李昕明
  • 1篇李晓

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制造方法
本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋...
谢丹孙翊淋徐建龙张丞张小稳李娴赵远帆朱宏伟
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一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法
本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在...
谢丹戴睿轩徐建龙李娴孙翊淋张小稳张丞杨埔滕长久李志鑫朱宏伟
高介电常数栅介质复合沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种高介电常数栅介质复合沟道场效应晶体管器件，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件包括依次层叠的衬底、高介电常数栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、图形化的硫化钼(MoS<Sub>2</Sub>)导电沟道，及在复...
谢丹张丞徐建龙孙翊淋张小稳赵远帆李晓李昕明朱宏伟
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一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法
本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在...
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有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制造方法
本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋...
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