徐金宝
- 作品数：13 被引量：44H指数：6
- 供职机构：新疆大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 晶种法水热合成FeS_2纳米晶被引量：12
- 2004年
- 在水热体系中,加入了FeS2作为晶种,以EDTA、酒石酸为螯合剂优化反应条件,合成了FeS2纳米晶。用X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜进行了表征。结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS2,纳米晶呈椭球状分布,平均粒径约20nm,其在紫外-可见光谱区内215-314nm是强吸收区,光学直接禁带宽度相对发生蓝移。并且对FeS2的形成机理进行了讨论。
- 吴荣郑毓峰张校刚孙言飞徐金宝
- 关键词：水热
- 粉末FeS_2的合成及结构精修被引量：5
- 2004年
- 实验采用Fe2O3粉末与纯铁粉末分别在100kPa硫压、恒温50h的条件下合成了FeS2粉体,并利用Rietveld方法对X射线衍射数据进行精修。结果表明在同样的条件下Fe2O3比铁粉更易与S结合生成FeS2,而且样品晶粒度明显增大,晶粒生长较好。
- 徐金宝郑毓峰孙言飞李锦吴荣
- 关键词：RIETVELD方法光吸收
- 丝网印刷FeS_2(pyrite)薄膜的结构及光电性能被引量：8
- 2004年
- 采用丝网印刷方法制备了FeS2 (pyrite)薄膜 ,用x射线衍射确定了样品FeS2 (pyrite)薄膜的晶体结构 ,并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修 ,确定了样品的点阵常数、键长、键角、硫原子占位等结构参数 .研究了膜厚对方块电阻、载流子浓度、霍尔迁移率。
- 徐金宝郑毓峰李锦孙言飞吴荣
- 关键词：丝网印刷法光电性能载流子浓度
- 硫属化合物太阳电池材料的制备及性能研究
- 郑毓峰孙言飞徐金宝董有忠陈艳华李锦段鹤吴荣张校刚
- 研制了FeS2(pyrite)及CdTe薄膜，合成了粉晶FeS2，制备了FeS2和CoS2纳米晶；对各种方法制备的样品利用X射线衍射、扫描和透射电镜和红外光吸收谱对其微结构进行了研究，包括薄膜、粉晶及纳米样品的晶粒尺度、...
- 关键词：
- 关键词：硫属化合物太阳电池材料水热合成
- 近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究被引量：7
- 2003年
- 采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.
- 李锦郑毓峰戴康徐金宝陈树义
- 关键词：电性能CDTE薄膜CSS技术碲化镉碲
- 不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究被引量：1
- 2008年
- 在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性,且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究.
- 郭福强简基康郑毓峰孙言飞徐金宝马灵灵
- 关键词：CDTE晶体结构
- 立方晶型FeS<sub>2</sub>（Pyrite）薄膜的制备及性能的研究
- FeS2(Pyrite)是一种具有合适禁带宽度和较高光吸收系数的半导体材料，其组成元素含量十分丰富、无毒，而且在制备太阳能电池时可以以薄膜形式使用，成本较低，与已有半导体材料相比，是一种较有研究价值的太阳能电池材料。本文...
- 徐金宝
- 关键词：方块电阻RIETVELD方法迁移率
- CdTe薄膜的制备方法比较及其结构性能研究被引量：13
- 2002年
- 采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜 ,并对其进行掺杂研究。样品利用XRD、SEM、紫外 可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试。结果显示 ,CSS制备的CdTe薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比 ,晶粒大 ,晶形好。适当的掺杂某些元素 ,适当的掺杂量 ,可以改善CdTe薄膜的结晶性能 ,提高其导电性能。掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大。
- 李锦郑毓峰徐金宝孙严飞陈树义
- 关键词：CDTE薄膜掺杂
- 稀土钕离子对立方晶型FeS_2结构及光性能的影响被引量：6
- 2005年
- 采用真空、无氧退火方法对立方晶型FeS2进行了稀土钕掺杂实验.利用X射线衍射仪和紫外可见分光光度计对样品的结构及光吸收谱进行了研究.利用Rietveld方法对掺杂样品的结构进行了精修.结果显示:由于稀土钕离子的进入,使得立方晶型FeS2晶格结构发生畸变,从而导致样品光电性能改变.
- 徐金宝郑毓峰李锦孙言飞吴荣
- 关键词：黄铁矿稀土RIETVELD方法
- EDTA辅助水热合成FeS_2NiSe_2复合纳米晶及其薄膜光电性质被引量：13
- 2004年
- 以EDTA为螯合剂,加入MX2结构化合物NiSe_2作为晶种,水热合成了FeS_2 纳米晶 .x射线衍射分析结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS_2 (pyrite) ,平均粒径约 4 0— 5 0nm .丝网印刷成膜且高温退火后FeS_2 薄膜光学直接带隙变宽 .随晶种量的增加 ,吸收边在紫外—可见光谱区红移、方块电阻升高、霍尔迁移率上升和载流子浓度下降 ,实现了n型掺杂 .并且对FeS_2
- 吴荣郑毓峰张校刚孙言飞徐金宝
- 关键词：薄膜光学光电性质EDTA方块电阻
