徐非凡
- 作品数：7 被引量：19H指数：3
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 高强度的有机无机复合胶凝材料及其制备方法和在文物保护中的应用
- 本发明提供一种高强度的有机无机复合胶凝材料及其制备方法和在文物保护中的应用。所述高强度的有机无机复合胶凝材料包括钙基无机材料和具有多羟基官能团或者多糖官能团的有机材料，有机材料和钙基无机材料的质量比为1‑10：100；所...
- 黄晓徐非凡徐庆蒙罗宏杰
- 用熔体外延法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶被引量：5
- 2004年
- 用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有不同于液相外延等常规晶体生长方法的创新生长工艺.红外傅里叶光谱测量证明InAsSb材料的截止波长超过10μm.X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构,且与InAs衬底取向一致,均为(100)方向.霍尔测量结果给出295K下,InAsSb的电子迁移率为4.75×104cm2/Vs,截流子浓度为3.61×1016cm-3;77K下电子迁移率为2.86×104cm2/Vs,载流子浓度为1.50×1016cm-3.数据显示这种材料具有研制新型探测器的良好前景.
- 高玉竹龚秀英方维政徐非凡吴俊戴宁
- 关键词：截止波长液相外延电子迁移率外延层载流子浓度
- 用一种新方法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶
- 采用一种新的晶体生长方法-熔体外延，在液相外延系统中，在（100）InAs衬底上生长出了室温截止波长11μm的InAsSb单晶。这是国内第一次生长出波长10μm以上的InAsSb材料，从而填补了我国长波红外InAsSb材...
- 高玉竹龚秀英方维政徐非凡戴宁
- 关键词：晶体生长载流子浓度
- MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究被引量：2
- 2003年
- 1 引言
近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.
- 徐非凡
- 关键词：MBE生长HGCDTE材料半导体材料退火分子束外延生长红外焦平面探测器
- 分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究(英文)被引量：9
- 2005年
- 报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEHgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBEHgCdTe材料.
- 吴俊徐非凡巫艳陈路于梅芳何力
- 关键词：HGCDTE薄膜分子束外延HGCDTE材料P型MBESIMS
- As在HgCdTe外延层中的扩散系数被引量：5
- 2005年
- 使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子束外延样品中的扩散系数.获得了在240℃,380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用.研究表明在低温段的240℃/24～48小时的退火中As的扩散非常有限,对样品中As的浓度分布影响不大,而在高温段380℃/16小时和440℃/30分钟退火中,As扩散较为明显,能使原来的PN突变结变缓.综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素,高温段440℃/30分钟的退火条件较理想.
- 徐非凡吴俊巫艳陈路于梅芳何力
- 关键词：外延层碲镉汞材料退火过程SIMSPN
- As掺杂MBE生长HgCdTe材料的P型退火及其评价
- 近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPAs)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.要实现载流子浓度在较大范围内的浓度控制以满足各类器件的要求,必须采用非本征掺杂技...
- 徐非凡
- 关键词：碲镉汞分子束外延二次离子质谱
- 文献传递
