李茂林
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：东北大学理学院材料物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- La微掺杂对Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)化合物结构及导电特性的影响
- 2008年
- 采用络合物型溶胶-凝胶法,通过对Bi2Sr2CaCu2O8＋δ（Bi2212）超导相进行Bi位La微量掺杂制备（Bi1-xLax）2Sr2CaCu2O8＋δ化合物粉体,研究了La替代部分Bi所引起的结构及导电特性变化，该粉体制备以可溶性无机盐为原料,乙二胺四乙酸（EDTA）为络合剂,La微掺杂x范围为0.01-0.09.利用TG-DTA曲线对化学反应过程进行分析,利用X射线衍射进行相分析,利用标准四引线法测试导电特性随温度的变化（R-T）。结果表明,该粉体相仍保持正交Bi2212结构,但a和b轴长度增加,c轴减少;随La微掺杂的量的增加,对Bi2212相的导电特性影响显著。
- 张影李茂林杨华哲祁阳
- 关键词：溶胶-凝胶法LA掺杂超导电性
- 高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用被引量：2
- 2008年
- 利用硅胶吸附解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置，通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源．在臭氧浓缩装置中，硅胶温度保持在-85℃左右，工作6h，可获得浓度（摩尔分数）高于95％的臭氧．当臭氧浓缩装置中压强保持在1．3×10^3Pa，该臭氧浓度可维持5h以上．X射线衍射结果表明，制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO，并以此为氧化源利用分子束外延在MgO（100）衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6＋x和Bi2Sr2CaCu2O8＋x薄膜．
- 张炳森于晓明孙霞光李茂林张彩碚祁阳
- 关键词：臭氧分子束外延
- Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜制备及性能
- 利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制各Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过x射线衍射仪、x射线能谱仪及扫描电子显微镜表征，薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量...
- 张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
- 关键词：氧化物薄膜超导分子束外延
- 文献传递
- Bi位掺La对Bi-2212粉体结构和性质的影响
- 2008年
- 以硝酸盐为前驱物,利用溶胶-凝胶(sol-gel)法,制备了(Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)粉体。通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM),对晶体结构进行了表征;采用SQUID和标准四引线法,对该粉体磁化强度随温度变化(M-T)和电阻随温度变化(R-T)曲线进行了测试,研究了Bi部分被La替代导致Bi系超导体结构和电磁特性的变化。结果表明,随着La掺杂量逐渐增加,晶格常数c未发生变化,而a,b逐渐变大,且沿b轴方向的调制周期减小;样品表现出抗磁性和反铁磁、超导和半导体特性共存、竞争的独特性质。
- 支壮志张影李茂林张炳森孙本哲何宁祁阳
- 关键词：溶胶-凝胶高温超导
- Bi位掺La对Bi-2212粉体结构和性质的影响
- 以硝酸盐为前驱物，利用溶胶-凝胶(sol-gel)法，制备了(Bil-xLax)2Sr2CaCu2Oδ(X=0，0.1，0.2，0.3，0.4)粉体。通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)，对晶体结构进行了表征;采...
- 支壮志张影李茂林张炳森孙本哲何宁祁阳
- 关键词：溶胶凝胶高温超导电磁特性
- 文献传递
- La掺杂对Bi系高温超导体相组成和微观形貌的影响
- 本文利用sol-gel合成了化学计量比为(Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ高温超导(x-0.01、0.03、0.05、0.07、0.09)材料，运用X射线衍射(XRD)和透射电子显微术(TEM),系统表征La掺杂...
- 孙本哲张影李茂林张炳森何宁祁阳
- 关键词：高温超导超导材料
- 文献传递
- Bi_(2.1)Ca_ySr_(1.9-y)CuO_(6+δ)薄膜制备及性能被引量：1
- 2008年
- 利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制备Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过X射线衍射仪、X射线能谱仪及扫描电子显微镜表征,薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量。结果表明,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜具有较好的结晶性能,沿衬底[001]方向c轴外延生长,且表面平整;随Ca含量(0.2≤y≤1.0)不同,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ相的c轴长度发生变化,且薄膜显现不同的导电特性。
- 张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
- 关键词：超导分子束外延
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)薄膜的分子束外延法制备及结晶性
- 2009年
- 在BiO-(Sr+Ca)O-CuO相图上的Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)(Bi-2212)相附近选择不同成分,用分子束外延法制备成薄膜,利用XRD,EDS,SEM和AFM研究了成分、衬底温度和臭氧分压对Bi-2212相薄膜成相的影响,分析了生长速率和错配度对Bi-2212相薄膜质量的影响。结果表明,Bi-2212相薄膜单相生成的成分范围(原子分数)分别为Bi 26.3%—32.4%, (Sr+Ca)37.4%—46.5%,Cu 24.8%—32.6%;当衬底温度为720℃且臭氧分压为1.3×10^(-3)Pa时,在MgO(100)衬底上生长出质量较高的c轴外延Bi-2212相薄膜;通过调整生长速率、更换衬底和插入不同厚度的Bi_2Sr_2CuO_(6+δ)过渡层的方法,可以改善Bi-2212相薄膜的结晶质量、表面形貌和导电特性。
- 张炳森李茂林王晶晶孙本哲祁阳
- 关键词：分子束外延衬底温度生长速率错配度
