于晓明
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：东北大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
- 高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用被引量：2
- 2008年
- 利用硅胶吸附解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置，通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源．在臭氧浓缩装置中，硅胶温度保持在-85℃左右，工作6h，可获得浓度（摩尔分数）高于95％的臭氧．当臭氧浓缩装置中压强保持在1．3×10^3Pa，该臭氧浓度可维持5h以上．X射线衍射结果表明，制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO，并以此为氧化源利用分子束外延在MgO（100）衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6＋x和Bi2Sr2CaCu2O8＋x薄膜．
- 张炳森于晓明孙霞光李茂林张彩碚祁阳
- 关键词：臭氧分子束外延
- Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜制备及性能
- 利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制各Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过x射线衍射仪、x射线能谱仪及扫描电子显微镜表征，薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量...
- 张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
- 关键词：氧化物薄膜超导分子束外延
- 文献传递
- V型沟槽Si衬底上SrTiO_3薄膜制备
- 2011年
- 在单晶Si(100)衬底以及经过改型处理的侧壁为Si(110)"V"型沟槽衬底上,分别采用液相沉积(LPD)和射频磁控溅射法(RF magnetron sputtering)制备了SrTiO3(STO)薄膜.通过对沉积溶液的温度、衬底的表面处理方法、衬底的放置方式以及热处理工艺的优化,研究了利用LPD法制备具有较为致密均匀的STO薄膜的条件;通过对溅射功率、溅射气压、衬底温度以及退火温度等具体参数的优化,研究了利用射频磁控溅射法在较低的衬底温度下制备具有一定取向的STO薄膜的条件.结果表明,射频磁控溅射法制备的STO薄膜在结晶状态、择优取向和表面形貌优于液相沉积.
- 王旗于晓明祁阳
- 关键词：液相沉积射频磁控溅射法表面形貌
- 利用表面改型Si衬底制备氧化物薄膜及生长机制研究
- 本文利用化学湿法各向异性刻蚀技术对单晶Si(100)衬底进行表面改型处理；利用化学法—液相沉积技术以及物理法—射频磁控溅射技术在普通Si(100)衬底和经过表面改型处理的Si衬底上制备钛酸锶(STO)薄膜；采用溶胶—凝胶...
- 于晓明
- 关键词：各向异性刻蚀液相沉积
- 文献传递
- Bi_(2.1)Ca_ySr_(1.9-y)CuO_(6+δ)薄膜制备及性能被引量：1
- 2008年
- 利用分子束外延法在MgO(100)衬底上制备Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜。薄膜的结构、外延性、化学计量比及表面形貌通过X射线衍射仪、X射线能谱仪及扫描电子显微镜表征,薄膜的R-T曲线通过标准四引线法测量。结果表明,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ薄膜具有较好的结晶性能,沿衬底[001]方向c轴外延生长,且表面平整;随Ca含量(0.2≤y≤1.0)不同,Bi2.1CaySr1.9-yCuO6+δ相的c轴长度发生变化,且薄膜显现不同的导电特性。
- 张炳森孙霞光李茂林于晓明张彩碚祁阳
- 关键词：超导分子束外延
- 引线框架用Cu-Fe-P系合金立式半连续电磁铸造
- 辽宁铜业集团铜材厂引线框架用Cu-Fe-P系合金(KFC和C194)板坯立式半连续铸锭存在的铸态组织粗大、表面质量差、铸造速度快时易产生裂纹等问题，开发了低频电磁铸造技术，通过数值模拟、实验室实验和工业实验，确定了电磁结...
- 崔建忠李宝绵张海涛孙少华于晓明
- 关键词：引线框架电磁铸造
