杨锋
- 作品数：11 被引量：2H指数：1
- 供职机构：湘潭大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 铁电薄膜与隧道结存储器件性能模拟及失效机理研究
- 本论文重点研究了铁电薄膜与隧道结存储器件的性能模拟及失效机理。从铁电薄膜的制备、最基本的电极化性能测量进行展开,详细讨论了极化开关相关理论及其在存储器件方面的应用,如铁电薄膜及其存储器件的印记、疲劳失效分析,超薄薄膜铁电...
- 杨锋
- 关键词：铁电随机存储器铁电薄膜铁电电容
- 文献传递
- 一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法
- 本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法，主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底；然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905～...
- 周益春杨锋
- 文献传递
- 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型(英文)
- 2008年
- 提出了一个全耗尽SOIMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型.该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应.为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACOATAS软件进行了相应的模拟.结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：全耗尽SOIMOSFETS电势阈值电压
- 铁电薄膜场效应晶体管存储器件的失效机制及器件力学
- 基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisa-ch模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构...
- 周益春杨锋孙静张军
- 关键词：铁电薄膜铁电存储器
- 文献传递
- 一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法
- 本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法，主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底；然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905～...
- 周益春杨锋
- 部分耗尽SOI MOSFETs中翘曲效应的温度模型(英文)
- 提出了一种部分耗尽 SOI MOSFETs 器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上 MOS 的电流,另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于...
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：阈值电压
- 文献传递
- 铁电薄膜场效应晶体管存储器件的失效机制及器件力学
- 基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisach模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构的...
- 周益春杨锋孙静张军
- 关键词：铁电薄膜铁电存储器场效应晶体管
- 文献传递
- 部分耗尽SOI MOSFETs中沟道的非对称掺杂效应(英文)
- 2008年
- 利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽SOI ,能抑制浮体效应,改善器件的击穿特性.同时跟已有的全耗尽SOI非对称掺杂器件相比,部分耗尽器件性能随参数变化,在工业应用上具有可预见性和可操作性.因为全耗尽器件具有非常薄的硅膜,而这将引起如前栅极跟背栅极的耦合效应和热电子退化等寄生效应.
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：MOSFETS击穿电压
- 部分耗尽SOI MOSFETs中翘曲效应的温度模型
- 2007年
- 提出了一种部分耗尽SOI MOSFETs器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：一部分是上MOS的电流，另一部分是由下部的寄生三极管电流。漏电流的突然增加来源于浮体区电势的增加。在本模型还分析了浮体电势、阈值电压与温度的变化关系。
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：部分耗尽SOIMOSFETS阈值电压
- (Bi_(3.7)Dy_(0.3))(Ti_(2.8)V(0.2))O_(12)铁电薄膜的制备及退火影响
- 2008年
- 铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景，受到极大的关注，其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性，得到了广泛的研究。采用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底成功沉积出（Bi3．7Dy0．3）（Ti2．8V0．2）012（BDTV）的A、B位同时掺杂的铁电薄膜，发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性。研究了650～800℃不同退火温度下，BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化。通过SEM分析发现，温度为750℃时，薄膜的颗粒生长较好，薄膜的铁电性能最佳。
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：溶胶-凝胶表面形貌铁电性
