王世才
- 作品数：11 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程机械工程更多>>
- 红外光谱技术在有机硅等离子体聚合膜研究中的应用
- 采用外部电容(?)合式等离子体聚合装置,合成了三乙(?)基乙基硅烷((?)),六甲基二硅氧烷(?)等离子体聚合膜·测定淀积在NaCl晶片上聚合膜的IR谱,并研究了不同等离子气体和起始物质对等离子体聚合物的IR谱的影响,以...
- 王世才陈捷卢丽珍
- 文献传递
- 有机硅化物等离子体聚合膜湿敏元件的制备被引量：1
- 1990年
- 阐述制备底片的工艺过程,研究三甲硅基二甲胺和r一氨丙基三乙氧基的等离子体聚合膜的季胺化,用IR分析湿敏材料的结构,测定了材料湿敏电阻的特性、滞后、表面能和响应时间。膜与底片粘接性好、耐较高温度和对水汽选择性很强等特点。
- 王世才周茂堂陈捷
- 关键词：湿敏元件聚合膜有机硅化合物
- 辉光放电中处理聚四氟乙烯表面——Ⅱ.ESR研究PTFE膜自由基被引量：1
- 1990年
- 在外部电极电容耦合式反应装置中,对聚四氟乙烯(PTFE)膜进行了辉光放电处理。通过电子自旋共振(ESR)谱研究了PTFE在处理过程中所产生的自由基,着重讨论了温度对ESR谱的影响。最后,以DPPH为内标,测定了处理后PTFE膜的自由基浓度,并考察了自由基在空气中的衰减情况。
- 周茂堂刘桂珍詹瑞云王世才陈捷
- 关键词：辉光聚四氟乙烯自由基ESR
- 等离子体聚合法制备湿敏材料
- 王世才周茂堂孙良彦
- 关键词：等离子体聚合高聚物湿敏电阻器聚合物膜
- 在辉光放电中γ-氨丙基三乙氧基硅烷的聚合及其聚合物的结构和性能
- 1992年
- 在外部电容耦合装置中进行了γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APTEOS)的聚合,研究了系统的压力、放电功率、基片距离和等离子气体对聚合膜淀积速率以及对聚合物的结构与性能的影响。应用元素分析、红外光谱、X射线衍射研究了聚合物的结构,并测定了热失重、接触角和表面能。
- 王世才周茂堂陈捷郭作军
- 关键词：等离子体表面能
- 全文增补中
- 取代基对有机硅化合物等离子体聚合规律的影响
- 1991年
- 在外部电容耦合的辉光放电装置中进行了三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷和三甲基乙烯基硅烷的聚合。研究了体系压力、放电功率、等离子气体(N_2、Ar)及基片距离对淀积速率的影响,重点讨论了取代基的影响。并用元素分析、红外光谱和热重分析等方法研究了聚合物的结构与性能。
- 周茂堂王世才颜文革陈捷
- 关键词：取代基等离子体
- 二甲基乙烯基乙氧基硅烷等离子体聚合
- 1991年
- 在外部电极电容耦合式辉光放电装置中进行了二甲基乙烯基乙氧基硅烷(VDMES)的等离子体聚合,考察了压力、功率以及基片距离对聚合速率的影响。用红外光谱和X射线光电子能谱(XPS)等方法研究了聚合物的结构,并研究了聚合物的热稳定性及表面性能。
- 周和平周茂堂王世才陈捷
- 关键词：有机硅聚合物等离子体聚合
- 乙烯基三甲基硅烷等离子体聚合物膜的结构与性能被引量：2
- 1990年
- 采用外部电极电容耦合高频等离子体装置对乙烯基三甲基硅烷(VTMS)进行等离子体聚合。用IR、XPS、PGC/MS、X-ray、ESR和元素分析等方法对聚合物结构进行表征,并推断聚合反应历程。应用TG研究聚合物的热性能。通过X-ray证实聚合物为非晶结构。在无添加气体存在时聚合,XPS测试结果表明产物中有氧嵌入,且聚合物的C/Si比总的说来比单体的C/Si比低。TG的测试结果表明聚合物膜具有优良的热稳定性。
- 颜文革陈捷卢丽珍王世才
- 关键词：有机硅化合物等离子体聚合
- 二甲基乙氧基乙烯基硅烷等离子体聚合物的的GC/MS研究
- 1992年
- 本文应用色谱—质谱(GS/MS)及裂解色谱质谱(Py/GC/MS)研究了二甲基乙氧基乙烯基硅烷(VDMES)等离子体聚合的气体冷凝物及聚合物膜。鉴别出多种化合物,并推导了等离子体聚合的反应历程,进而得到了气相反应与表面反应的实验依据。
- 周和平季怡萍周茂堂王世才陈捷
- 关键词：等离子体色谱-质谱
- 辉光放电处理聚四氟乙烯——Ⅲ.PTFE表面结构的XPS表征被引量：1
- 1990年
- Yasuda等在用XPS研究离子体处理后的PTFE表面结构时,得到一个包络的C1s峰。本文对此进行探讨。 PTFE膜先在蒸馏水中浸泡1小时,再用热异丙醇洗涤5分钟。
- 周茂堂王世才陈捷
- 关键词：聚四氟乙烯等离子体处理
