您的位置： 专家智库 > >

王佳鑫

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 21篇晶体管
  • 19篇场效应
  • 19篇场效应晶体管
  • 16篇逻辑器件
  • 14篇隧穿
  • 13篇沟道
  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 7篇超大规模集成
  • 7篇超大规模集成...
  • 7篇大规模集成电...
  • 6篇异质结
  • 5篇源区
  • 5篇交界面
  • 4篇电极
  • 4篇电流
  • 4篇小尺寸
  • 4篇金属
  • 4篇共振隧穿
  • 4篇错型

机构

  • 33篇北京大学

作者

  • 33篇黄如
  • 33篇王佳鑫
  • 31篇吴春蕾
  • 31篇黄芊芊
  • 27篇王阳元
  • 7篇朱昊
  • 4篇赵阳
  • 4篇詹瞻
  • 4篇王超
  • 2篇云全新
  • 2篇李敏
  • 2篇林猛
  • 2篇安霞
  • 2篇张兴
  • 2篇黎明

年份

  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
  • 6篇2015
  • 9篇2014
  • 3篇2013
共 33 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法通过制备工艺设计实现了超陡源结的隧穿场效应晶体管。本发明可以显著改善器件特性；同时，该制备方法与标准的...
黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫王阳元
文献传递
一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该嵌入层异质结隧穿场效应晶体管的垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与...
黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫朱昊王阳元
文献传递
一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管利用垂直沟道区三面包围的高掺杂源区提供的PN结能有效耗尽沟道区，使得栅下表面...
黄如黄芊芊吴春蕾王佳鑫詹瞻王阳元
文献传递
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对...
黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳
文献传递
锗基衬底表面钝化方法
本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移...
黄如林猛云全新李敏王佳鑫安霞黎明张兴
文献传递
抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法
本发明公开了一种抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明通过在源区和隧穿结下方的体区之间插入绝缘层，而在源区和沟道之间的隧穿结处不...
黄如黄芊芊吴春蕾王佳鑫王超王阳元
文献传递
一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法。该器件包括隧穿源区、沟道区、漏区和位于沟道区上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为反错层型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异...
黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫王阳元
文献传递
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对...
黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳
文献传递
一种复合机制的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种复合机制的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管通过改变栅形貌，利用条形栅两侧的PN结耗尽效应使得栅下表面沟道能带提...
黄如黄芊芊吴春蕾王佳鑫詹瞻王阳元
文献传递
抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及制备方法
一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区，沟道区，漏区以及位于沟道上方的控制栅，隧穿源区为III-V族化合物半导体混合晶体，该混合晶体的混晶比沿垂直器件表面方向连续变化，隧穿源区与沟道交界面处的异质隧穿结的...
黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫王阳元
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0