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朱昊: 作品数：11 被引量：0H指数：0; 供职机构：北京大学更多>>

合作作者

黄芊芊北京大学
吴春蕾北京大学
黄如北京大学
王佳鑫北京大学
王阳元北京大学

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

11篇中文专利

主题

8篇晶体管
8篇场效应
8篇场效应晶体管
7篇逻辑器件
5篇电路
4篇电极
4篇电路应用
4篇掩膜
4篇掩膜版
4篇金属
3篇沟道
2篇异质结
2篇栅介质
2篇开关比
2篇空间电荷区
2篇集成电路
2篇隔离区
2篇错型
2篇N
1篇低功耗

机构

11篇北京大学

作者

11篇黄如
11篇吴春蕾
11篇黄芊芊
11篇朱昊
7篇王阳元
7篇王佳鑫
4篇赵阳
4篇廖怀林
4篇叶乐

年份

5篇2017
4篇2015
2篇2014

共 11 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

基于深N阱工艺隔离隧穿场效应晶体管的制备方法: 本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺，采用深N阱以及STI区注入N阱的...; 黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元; 文献传递

一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该嵌入层异质结隧穿场效应晶体管的垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与...; 黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫朱昊王阳元; 文献传递

一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法: 一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对...; 黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳; 文献传递

一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该嵌入层异质结隧穿场效应晶体管的垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与...; 黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫朱昊王阳元; 文献传递

一种隧穿场效应晶体管的制备方法: 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工...; 黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元; 文献传递

阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法: 一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介...; 黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳; 文献传递

一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法: 一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对...; 黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳; 文献传递

基于深N阱工艺隔离隧穿场效应晶体管的制备方法: 本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺，采用深N阱以及STI区注入N阱的...; 黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元; 文献传递

阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法: 一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介...; 黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳; 文献传递

一种隧穿场效应晶体管的制备方法: 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工...; 黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元; 文献传递

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