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田景全

作品数:60 被引量:249H指数:8
供职机构:长春理工大学更多>>
发文基金:吉林省科技发展计划基金吉林省科委基金吉林省科技厅青年科研基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程自动化与计算机技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 38篇期刊文章
  • 16篇会议论文
  • 5篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 34篇电子电信
  • 6篇机械工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇核科学技术
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 26篇微通道板
  • 10篇图像
  • 8篇MCP
  • 6篇离子反馈
  • 6篇刻蚀
  • 5篇点扩展函数
  • 5篇电子倍增器
  • 5篇图像恢复
  • 5篇图像退化
  • 5篇X射线
  • 4篇噪声
  • 4篇射线
  • 4篇微球板
  • 4篇象增强器
  • 4篇溅射
  • 4篇光电
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇电器件
  • 3篇氧化硅

机构

  • 50篇长春理工大学
  • 8篇长春光学精密...
  • 2篇清华大学研究...
  • 1篇长春大学
  • 1篇大连民族学院
  • 1篇空军第二航空...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇中国兵器科学...

作者

  • 60篇田景全
  • 36篇端木庆铎
  • 33篇李野
  • 28篇姜德龙
  • 27篇富丽晨
  • 21篇王国政
  • 18篇吴奎
  • 14篇但唐仁
  • 13篇王新
  • 12篇卢耀华
  • 11篇向嵘
  • 9篇高延军
  • 8篇李野
  • 8篇张柏福
  • 7篇姜德龙
  • 6篇付申成
  • 6篇姜得龙
  • 2篇陈立
  • 2篇高延军
  • 2篇吴奎

传媒

  • 9篇发光学报
  • 7篇电子学报
  • 5篇长春理工大学...
  • 4篇红外技术
  • 3篇应用光学
  • 3篇中国电子学会...
  • 2篇兵工学报
  • 2篇微电子学
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇深圳特区科技
  • 1篇系统仿真学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇长春光学精密...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第四届全国微...
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇第五届全国夜...
  • 1篇深圳市科协2...
  • 1篇中国仪器仪表...
  • 1篇第三次全国会...

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 7篇2005
  • 4篇2004
  • 6篇2003
  • 6篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
60 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率(英文)被引量:3
2009年
氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4~0.8Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。
姜德龙王新向嵘王国政田景全
关键词:氧化硅磁控溅射
基于低强度X射线影像仪的图像退化和复原方法
图像的退化是引起X射线影像仪图像质量下降的主要原因,通过对图像复原,可以改善图像质量,提高系统的清晰度.本文分析了影像仪图像退化的原因,重点介绍了影像仪的点扩展函数的获取方法,并以台阶铝板的X射线图像为例,说明了其复原过...
但唐仁田景全姜得龙
关键词:图像退化图像恢复点扩展函数
文献传递
低强度X射线影像仪图像的退化和复原
图像的退化是引起X射线影像仪图像质量下降的主要原因,通过对图像复原,可以改善图像质量,提高系统的清晰度。这里分析了影像仪图像退化的原因,重点介绍了影像仪的点扩展函数的获取方法,并以台阶铝板的X射线图像为例,说明了其复原过...
但唐仁田景全李野姜得龙卢耀华
关键词:图像退化图像恢复点扩展函数反滤波
文献传递
微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用被引量:4
2006年
给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。
姜德龙刘庆飞李野王国政高延军吴奎付申成端木庆铎田景全
关键词:微通道板蒙特卡罗模拟
硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨被引量:2
2005年
本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验。对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析。通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵。其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术。
高延军王国政端木庆铎田景全
关键词:电化学刻蚀各向异性
改善微通道板工作稳定性的新方法
富丽晨张柏福田景全
关键词:稳定性光电倍增管光电器件光电子发射微通道板
基于BCG-MCP的四代微光像增强技术被引量:18
2003年
介绍了Ⅲ代微光像管中的防离子反馈膜技术 ,阐述了美国Litton公司基于BCG MCP的Ⅳ代像管的近期发展及应用概况 ,给出了实际应用中的对比情况 ,指出了BCG MCP。
姜德龙吴奎王国政李野富丽晨端木庆铎田景全
关键词:离子反馈
在硅衬底上制作台阶生长Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O薄膜的方法
在硅衬底上制作台阶生长Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术在硅衬底上引入缓冲层,要么在后续生长的Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-...
王新向嵘李野王国政端木庆铎田景全
微通道板离子壁垒膜粒子阻透特性的蒙特卡罗模拟(英文)被引量:1
2011年
在三代微光像管中,微通道板(MCP)输入面上覆盖一层超薄离子壁垒膜(IBF),目的是保护光电阴极,延长像管使用寿命。为了深入研究离子壁垒膜的特性,本文对Al2O3和SiO2两种离子壁垒膜的粒子阻透能力进行了蒙特卡罗模拟,结果表明:5 nm厚Al2O3和SiO2离子壁垒膜的死电压分别为230~240 V和220~230 V之间;输入能量0.24 keV时背散射电子数最高达19%左右;输入能量0.8 keV时,Al2O3膜电子透过率为87.16%,SiO2膜为88.12%,电子透过的极限膜厚前者为15 nm,后者为16 nm;对于输入能量0.26 keV的C+、N+、O+离子,Al2O3膜的离子阻当率为95%~99%;Al2O3离子壁垒膜在厚度5 nm时具有较好的电子透过率和较高的离子阻挡率。
姜德龙房立峰那延祥李野田景全
关键词:微通道板蒙特卡罗模拟
一种基于小波相位信息的低强度X射线影像系统的图像去噪方法被引量:9
2004年
新型低强度X射线影像系统主要是由平板式单近贴静电聚焦X射线像增强器和CCD数据采集系统构成 .文章简述了低强度X射线影像系统的图像噪声来源和特点 ,并根据图像噪声的特点 ,先进行多帧叠加平均预处理 ,再进行小波变换滤波 .区别于传统的小波变换方法 ,引入小波变换的相位信息概念 ,根据噪声和图像信息小波变换后的相位不同特点 ,从局部和相邻尺度两方面联合进行噪声自动判别和滤除 .小波反变换后 ,得到输出图像 ,通过对峰值信噪比的计算 。
但唐仁田景全端木庆铎李野高延军
关键词:X射线小波变换相位
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