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窦宝锋

作品数：3 被引量：17H指数：2
供职机构：大连理工大学电气工程与应用电子技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇氮化镓
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇半导体器件
  • 2篇GAN
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇电器件
  • 1篇三氧化二铝
  • 1篇清洗方法
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇AL2O3
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇GAN基材料
  • 1篇材料性质
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇大连理工大学
  • 1篇佳木斯大学

作者

  • 3篇窦宝锋
  • 3篇顾彪
  • 2篇王三胜
  • 2篇秦福文
  • 2篇徐茵
  • 2篇杨大智
  • 1篇史庆军
  • 1篇常久伟
  • 1篇邓祥

传媒

  • 1篇佳木斯大学学...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇材料导报

年份

  • 3篇2002
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用被引量：8
2002年
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用 。
顾彪王三胜徐茵秦福文窦宝锋常久伟邓祥杨大智
关键词：GAN材料性质半导体器件半导体材料氮化镓
Al_2O_3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法被引量：2
2002年
研究了 ECR- PAMOCVD在蓝宝石衬底上生长 Ga N外延层时衬底的清洗方法和缓冲层结构对于 Ga N晶体质量的影响 ,提出了新的衬底清洗方法和双缓冲层结构 .实验表明这种方法能够提供一个很好的生长基底 ,可以有效地改善 Ga
窦宝锋顾彪史庆军
关键词：衬底清洗方法AL2O3三氧化二铝GAN薄膜氮化镓薄膜
GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用被引量：7
2002年
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势。
王三胜顾彪徐茵秦福文窦宝锋杨大智
关键词：GAN掺杂半导体器件光电器件半导体材料氮化镓
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