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赵丹淇

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇感器
  • 9篇传感
  • 9篇传感器
  • 8篇牺牲层
  • 8篇MEMS器件
  • 7篇压力传感器
  • 7篇力传感器
  • 6篇单片
  • 6篇单片集成
  • 6篇淀积
  • 6篇结构层
  • 6篇刻蚀
  • 6篇封装
  • 6篇成品率
  • 5篇电路
  • 5篇压阻
  • 5篇压阻式
  • 4篇等离子体
  • 4篇等离子体密度
  • 4篇电荷

机构

  • 34篇北京大学

作者

  • 34篇赵丹淇
  • 33篇罗葵
  • 33篇田大宇
  • 33篇张大成
  • 33篇刘鹏
  • 33篇李婷
  • 33篇杨芳
  • 33篇王玮
  • 27篇何军
  • 23篇黄贤
  • 8篇林琛
  • 4篇张立

年份

  • 3篇2016
  • 8篇2015
  • 7篇2014
  • 11篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法
本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式...
何军张大成黄贤赵丹淇林琛王玮杨芳田大宇刘鹏李婷罗葵
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无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器及其制作方法
本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿<100>晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿<110>晶向排列。其制作...
黄贤张大成赵丹淇林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种电荷检测芯片及其制备方法
本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式...
赵丹淇张大成罗葵王玮田大宇杨芳刘鹏李婷
一种体硅谐振式压力传感器的圆片级真空封装方法
本发明涉及一种应用于体硅谐振式压力传感器的圆片级封装方法，其步骤包括：1)根据谐振式压力传感器的结构选取合适的SOI硅片和进行阳极键合的玻璃片；2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀，形成器件结构；3)去除部分埋氧层，释放...
何军张大成黄贤张立赵丹淇王玮杨芳田大宇刘鹏李婷罗葵
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一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法
本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式...
何军张大成黄贤赵丹淇林琛王玮杨芳田大宇刘鹏李婷罗葵
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一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
本发明涉及一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该MEMS压阻式压力传感器包括应变膜和压敏电阻，应变膜的正面边缘分布有岛结构，压敏电阻位于所述岛结构上。在制备时基片正面岛结构的制作在背腔各向异性腐蚀之前，避免正面制作...
黄贤张大成赵丹淇何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种MEMS集成化方法
本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成...
赵丹淇张大成杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
一种电荷检测芯片及其制备方法
本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式...
赵丹淇张大成罗葵王玮田大宇杨芳刘鹏李婷
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一种MEMS集成化方法
本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成...
赵丹淇张大成杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种自封装的MEMS器件及红外传感器
本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的...
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