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赵雷

作品数：4 被引量：21H指数：1
供职机构：西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
发文基金：电力设备电气绝缘国家重点实验室中青年基础研究创新基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇压敏
  • 4篇压敏陶瓷
  • 4篇陶瓷
  • 3篇介电
  • 3篇ZNO压敏陶...
  • 2篇介电谱
  • 2篇本征
  • 2篇本征缺陷
  • 1篇电气
  • 1篇电气性能
  • 1篇电性能
  • 1篇电子陷阱
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化锌
  • 1篇损耗
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土氧化物
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇老化过程

机构

  • 4篇西安交通大学
  • 1篇西安工程大学

作者

  • 4篇成鹏飞
  • 4篇赵雷
  • 4篇李盛涛
  • 3篇李建英
  • 1篇焦兴六

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
稀土氧化物掺杂ZnO压敏陶瓷的介电性能
本文在-130～20 ℃范围内测量了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电谱，发现ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷同时包含两种损耗峰，这两种损耗峰分别对应于V()o和Zn()i，但以V()o所形成的损耗峰为主;稀土氧化物不改变特...
李盛涛成鹏飞李建英赵雷
关键词：ZNO压敏陶瓷介电性能老化过程
文献传递
ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究被引量：21
2009年
从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130—20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.
李盛涛成鹏飞赵雷李建英
关键词：ZNO压敏陶瓷本征缺陷介电谱
稀土氧化物对ZnO-Bi203系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响瓷晶
本文研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶粒尺寸和电气性能(包括温度特性、压敏特性)的影响，发现稀土氧化物能有效抑制ZnO晶粒的生长，且Gd2O3、La2O3、Y2O3能...
李盛涛成鹏飞韩景辉赵雷焦兴六
关键词：压敏陶瓷稀土氧化物电气性能
ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究
从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130～20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105H...
李盛涛成鹏飞赵雷李建英
关键词：氧化锌压敏陶瓷本征缺陷介电谱电子陷阱
文献传递
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