郑文莉
- 作品数：27 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程核科学技术更多>>
- 三角形弯晶单色器的分光及聚焦特性研究被引量：1
- 1995年
- 北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）的４Ｗ１Ｃ光束线用斜切角为１２．１６°的三角形Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（２２０）和Ｓｉ（４２２）晶体在衍射角为２３．６５°时选择０．２５２ｎｍ、０．１５４ｎｍ和０．０８９ｎｍ波长的单色Ｘ光．三角形晶体压弯成柱面，可实现单色光水平方向的聚焦，为漫散射实验站提供聚焦的单色Ｘ光．解析计算和ＳＨＡＤＯＷ软件包进行追踪的结果与实验测试结果符合得很好．
- 郑文莉姜晓明武家扬景毓辉刘功淳
- 位置灵敏正比计数器性能研究及其对同步辐射光光强分布的测量
- 我们对 Backgammon 型高气压流气式位置灵敏正比计数管的基本性能进行了研究。结果表明,其位置分辨率约为100μm;线性良好,在计数器中部47．5、40和30mm 范围内,位置线性均方误差分别为76、 47．3和1...
- 刘鹏徐清吴应荣武家杨郑文莉李士邵涵如
- 关键词：性能研究光强分布
- 文献传递
- 同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用被引量：16
- 2000年
- 利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射Ｘ射线衍射实验方法．对Ｓｉ表面生长的Ｇｅ／Ｓｉ量子点及其在Ｓｉ表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号．实验结果表明，Ｇｅ／Ｓｉ量子点的形成除了在Ｓｉ衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Ｓｉ衬底中形成了具有横向压缩应变的区域．
- 姜晓明贾全杰郑文莉刘鹏冼鼎昌蒋最敏王迅
- 关键词：量子点微弱信号
- 北京同步辐射装置X射线漫散射实验站及准周期非晶多层膜的X射线非镜面散射研究被引量：3
- 1996年
- 讨论了北京同步辐射装置的４Ｗ１Ｃ光束线和Ｘ射线漫散射实验站的技术特点．利用在漫散射实验站上获得的能量分辨率为４．４×１０－４、光斑大小为０．５ｍｍ（水平）×０．３ｍｍ（垂直）的聚焦单色Ｘ射线光束，研究了准周期非晶多层膜的Ｘ射线漫散射──非镜面散射．实验结果表明，准周期多层膜的漫散射强度分布在倒空间中与表面平行的条纹上并形成散射强度的调制．对散射强度调制进行的模拟计算得到相当满意的结果．
- 姜晓明景毓辉郑文莉修立松武家扬刘功淳
- 关键词：X射线漫散射准周期多层膜强度调制
- 横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
- 2002年
- 采用同步辐射X光衍射技术研究了α -Al2 O3(0 0 0 1)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN(0 0 0 1)晶面与窗口区的GaN(0 0 0 1)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半 ,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时 。
- 冯淦郑新和王玉田杨辉梁骏吾郑文莉贾全杰
- 关键词：GAN晶粒度结构特征半导体材料
- GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征
- 2002年
- 研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110 的均匀过渡层。AlAs层分成厚度为 4 0 和 10 5 0 的两层 ,而 4 0 厚的AlAs层的平均原子密度比 10 5 0 厚的减小。利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2 O3,而且与氧化前相比 ,其过渡层的厚度与粗糙度均减小。
- 王勇贾海强王文充刘翠秀陈向明麦振洪郑文莉贾全杰姜晓明
- 关键词：微结构砷化镓砷化铝绝缘层
- 同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构被引量：2
- 1996年
- 半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的又一种新的结构,它可减少二维电子(空穴)气系统中的杂质离子散射,在科学和技术应用上都有重要意义。 δ掺杂样品中的杂质离子仅分布在几个纳米的尺度内,一些常用的结构成分分析方法难以进行检测。如Rutherford背散射(RBS)、中能离子散射(MEIS)只对浓度原子百分比大于10^(-2)％杂质敏感,而二次离子质谱(SIMS)的空间分辨一般为3μm左右。X射线是检测物质结构的有效方法,常规光源的强度不足以测量到足够的衍射振荡来分析δ掺杂的结构。同步辐射光源是高亮度的X射线光源,它已成功地用来测量δ掺杂的结构。 北京同步辐射装置漫散射实验站所用光源来自4W1C光束线,X光经一块压弯的三角形硅单晶单色化并水平聚焦后,再由一块全反射柱面镜进行垂直聚焦和滤去高次谐波,在样品处得到光斑大小为0.3mm×0.5mm、垂直发散度为0.1m rad的单色光。本实验中,三角弯晶为Si(111),所得的单色光波长为0.154nm。衍射平面在垂直方向,以利用同步光的水平偏振和垂直发散度小的特点。
- 修立松姜晓明郑文莉卢学坤蒋最敏张翔九王迅
- 关键词：X射线衍射Δ掺杂硅
- Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究
- 2001年
- 用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．
- 郑文莉贾全杰姜晓明蒋最敏
- 关键词：锗半导体材料表面偏析分子束外延
- X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层
- 2001年
- 利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。
- 姜晓明贾全杰胡天斗黄宇营郑文莉何伟冼鼎昌施斌蒋最敏王
- 关键词：半导体硅晶体锗
- 位置灵敏正比计数器性能研究及其对同步辐射光光强分布的测量
- 1996年
- 我们对Ｂａｋｇａｍｍｏｎ型高气压流气式位置灵敏正比计数管的基本性能进行了研究。结果表明，其位置分辨率约为１００μｍ；线性良好，在计数器中部４７．５、４０和３０ｍｍ范围内，位置线性均方误差分别为７６、４７．３和１１．６μｍ；对铁、铜和锌特征Ｘ射线的绝对探测效率分别为６８．５％、５９．９％和５２．４％，与理论计算值相符，在整个探测器长度上探测效率分布比较均匀；与移动平台等构成的探测系统的重复定位精度好于１０μｍ。在此基础上，测量了高能物理所同步辐射实验室４Ｗ１Ｃ漫散射站聚焦单能Ｘ射线的光强分布。
- 刘鹏徐清吴应荣武家杨郑文莉李士邵涵如
- 关键词：正比计数器性能研究光强分布
