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陈愿
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邹慰亲
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1996
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集成运算放大器受辐射效应的研究
1996年
研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应.发现经受一定剂量的γ辐射后,双极型集成运算放大器的Vio、Iio、IB+、IB-等电参数明显增大,放大系数减小,停止辐射并经历一定条件的退火处理,这些电参数可以基本恢复.斩波式自动稳零型CMOS集成运算放大器抗γ辐射能力较强.集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤.
邹慰亲
陈愿
徐扬子
黄学雄
关键词:
集成运算放大器
Γ辐射
退火
电参数
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