齐臣杰
- 作品数：18 被引量：60H指数：5
- 供职机构：海南师范大学更多>>
- 发文基金：海南省自然科学基金“九五”国家科技攻关计划国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 深槽刻蚀研究及在IC隔离中的应用
- 本文报道了用ICP技术刻蚀出窄深槽结构.槽宽1～2.5μm,槽深7～25μm,刻蚀速率2μm/min,陡直度89度.该结构可以应用到MEMS和IC的隔离中.
- 齐臣杰岳瑞峰刘理天
- 关键词：深槽刻蚀刻蚀工艺
- 文献传递
- 温差半导体空调制冷器制冷性能研究被引量：1
- 2009年
- 设计了两种不同散热方式的半导体制冷器,实验表明制冷性能良好,为太阳能驱动半导体制冷装置的优化设计提供依据、奠定基础。半导体制冷模块热端采用汽车发动机散热系统标准部件、采取水冷却,能在有限的空间内将高热流密度热量散发出去,有利于提高制冷性能。半导体制冷模块在等功率状态下工作,制冷量为半导体器件最大制冷量的55%;若倾向于获得较大制冷系数,制冷量按最大制冷量的40%进行设计,制冷系数ε达1.65。
- 卞之齐臣杰邢诒存张美丽
- 关键词：半导体制冷器制冷性能
- 太阳能半导体空调制冷装置模块化实验研究被引量：6
- 2009年
- 建立了以水为热交换媒介的太阳能热电模块制冷实验系统。系统配置了双位能量存储装置,用以储存昼夜温差能和太阳光电转换电能,以备无日照或日照不足时系统能够连续工作。热电制冷装置模块化,用以适应制冷功率变化较大的空间制冷,并在制冷启动与温度维持不同阶段实现较大功率的切入或撤出。制冷模块以半导体热电元件为核心,冷热端均以导热性能良好的紫铜作为热交换材料,以热容量较大的水作为冷却液和散热循环液。热交换装置采取集合散热冷却分流的集散一体化热交换系统。对制冷模块制冷性能进行了实验分析,并对制冷效果进行了模拟实验,实验结果基本达到了设计的预期。
- 卞之潘宇婧齐臣杰邢诒存曲春英
- 关键词：太阳能制冷半导体制冷器热电制冷制冷性能
- 太阳能温差电制冷的研究
- 卞秀芬王红晨邢诒存曲春英齐臣杰
- 该项目对半导体温差电制冷装置的模块化及其制冷性能、工作状态、可叠加性进行了研究，确定了不同使用目的下的最佳工作状态。实验表明：制冷模块可叠加，叠加后模块平均制冷能力不低于单个模块的制冷能力。通过示差扫描量热实验对蓄冷介质...
- 关键词：
- 关键词：空调系统
- 3MW光伏发电系统自然跟踪关键技术的突破与实现
- 卞秀芬王红晨邢诒存齐臣杰韦建德钟小丽曲春英等
- 该项目作为海南师范大学桂林洋新校区3MW“光伏屋顶”示范工程关键技术解决方案，通过100Wp微型实验单元进行实验，以期取得原理和技术上的验证，为3kWp小型光伏发电系统进而为3MW“光伏屋顶”提供技术支持。该项目设计研制...
- 关键词：
- 关键词：光伏发电系统电池板
- 两步刻蚀多晶硅提高图形陡直度
- 2000年
- 微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀（RIE）进行了研究。采用两步刻蚀工艺，SF6，CF4，Cl2CF三种气体组合，从原来45度的各向同性刻蚀提高到73度以上的各向异性刻蚀。射频功率390瓦时，刻蚀速率每分钟200nm。对3．5微米厚的多晶硅，刻蚀时间在20分钟左右，基本上达到要求。
- 齐臣杰徐洪涛谭智敏钟艳林宏刘理天
- 关键词：微电子机械系统多晶硅
- 光电集成测速硅静电微晃动马达
- 采用微马达与光电二极管一起集成，组成光电测速系统。在马在转子下面集成几个光电二极管，利用反偏二极的暗电流和亮电流的变化来测量马达的转速。它提高了马达的测速范围，解决了视频摄像测速系统测速低的问题。此外，它还具有测试方便，...
- 齐臣杰候或刘理天
- 关键词：光电集成测速
- 微波集成滤波器研究被引量：4
- 2000年
- 用MEMS技术在硅基片上制作了微波集成滤波器,并提出一种三维电容,该电容用MEMS的深槽刻蚀技术实现三维结构。该电容面积只有平面电容的1/3。电感采用MEMS的背面腐蚀技术,去掉硅衬底,减少了衬底损耗,解决硅衬底电阻率不高的缺点。导体采用MEMS的准LIGA厚胶光刻和电铸工艺,使金属膜的厚度大大增加,减少导体损耗,从而提高电感的Q值。
- 张海涛齐臣杰刘理天
- 关键词：微波集成电路滤波器MEMS
- 利用MEMS技术制作MMIC的三维电容电感和滤波器被引量：5
- 2001年
- 随着信息时代的发展,对于无线通信设备中的一些外接的分立元件的微型化、低功耗及可携带性提出了更高的要求.现在通常采用单片微波集成电路(MMIC)技术来制作微波电路器件.
- 张海涛齐臣杰刘理天
- 关键词：MEMS技术微波集成电路滤波器
- 射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)被引量：1
- 2004年
- 提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎 10 0
- 齐臣杰傅军王军军刘理天
- 关键词：击穿电压射频功率器件
