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领域

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机构

  • 12篇上海交通大学
  • 3篇兰州大学

作者

  • 12篇俞爱斌
  • 8篇丁桂甫
  • 6篇蔡炳初
  • 5篇周勇
  • 5篇徐东
  • 4篇杨春生
  • 3篇朱军
  • 3篇余晋岳
  • 3篇魏福林
  • 3篇王莉
  • 2篇张琛
  • 2篇赵小林
  • 2篇姚翔
  • 2篇沈天慧
  • 2篇周狄
  • 2篇钱建国
  • 1篇倪智萍
  • 1篇冯建智
  • 1篇李昌敏
  • 1篇张明生

传媒

  • 4篇微细加工技术
  • 2篇磁性材料及器...
  • 2篇第四届全国微...
  • 1篇金属学报

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 7篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1996
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
NiTi/Si复合膜微泵的制备与性能研究
NiTi/Si复合膜微泵是由一个可形变的腔体和两个硅薄片单向阀组成.微泵采用硅微机机械技术和金硅共晶键合技术制备.其外形尺寸为6mm×6mm×1.5mm,NiTi/Si复合驱动膜的尺寸为3mm×3mm×20um.驱动膜利...
徐东上海交通大学“薄膜与微细技术”国家教育部重点实验室(上海)蔡炳初王莉丁桂甫周勇俞爱斌
关键词:形状记忆合金薄膜微驱动器微泵
文献传递
直径 2mm 电磁型微马达的研制及其气隙磁场的分析被引量:4
1998年
微机电系统(MEMS)是正在国际上发展的新兴学科,微马达是微机电系统中的关键器件。本文介绍了研制成的直径为2mm、高0.7mm的电磁型微马达的结构特点,并对气隙磁场分布作了分析讨论。
余晋岳张琛杨春生俞爱斌朱军钱建国雷蔚任敏华冯建智魏福林
关键词:电磁型微马达永磁转子微电机气隙磁场
直径1mm电磁型双定子微马达的结构特点及稀土永磁在其中的应用被引量:6
2000年
上海交通大学在研制成 2mm电磁型微马达后,又在1999年成功地研制了 1mm电磁型双定子微马达。本文介绍了 1mm微马达的结构特点,对它的稀土永磁转子及 气隙磁场进行了分析讨论,还介绍了它的应用发展。
余晋岳张琛杨春生朱军钱建国张明生周狄俞爱斌魏福林
关键词:电磁型微马达永磁转子定子稀土永磁
CVD金刚石薄膜RIE掩模技术研究被引量:7
2001年
金刚石薄膜反应离子刻蚀 (RIE)必须选用硬掩模 ,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑 ,镍和镍钛合金掩模是较好选择 ,其中 ,NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势 ,Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩模以其精确的尺寸控制能力、理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构加工时使用。使用上述掩模对金刚石薄膜进行RIE ,可以获得线条整齐规则、侧壁平滑陡直的优异加工效果。
丁桂甫俞爱斌赵小林姚翔沈天慧
关键词:金刚石薄膜反应离子刻蚀掩模
采用形状记忆合金/硅双层驱动膜结构的微泵
本发明涉及一种采用NiTi/Si双层驱动膜结构的微泵,它由NiTi形状记忆合金薄膜1及Si薄膜2构成的双层驱动膜、泵腔体3、进水泵4和出水阀5等组成。该微泵采用在泵腔体材料Si上直接沉淀形状记忆合金NiTi薄膜,形成Ni...
徐东周勇丁桂甫蔡炳初俞爱斌
文献传递
CVD金刚石薄膜RIE刻蚀的掩膜技术
金刚石薄膜RIE刻蚀必须选用硬掩膜,NiTi合金掩膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势,Ni掩膜特别是电镀方法制作的Ni掩膜以其精确的尺寸控制能力、理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构...
丁桂甫赵小林杨春生俞爱斌姚翔沈天慧
关键词:金刚石薄膜反应离子刻蚀掩膜
文献传递
采用形状记忆合金/硅双层驱动膜结构的微泵
本发明涉及一种采用形状记忆合金/硅双层驱动膜结构的微泵,它由NiTi形状记忆合金薄膜1及Si薄膜2构成的双层驱动膜、泵腔体3、进水泵4和出水阀5等组成。该微泵采用在泵腔体材料Si上直接沉淀形状记忆合金NiTi薄膜,形成N...
徐东周勇丁桂甫蔡炳初俞爱斌
文献传递
形状记忆合金薄膜驱动微泵的动态特性被引量:6
2002年
一种用形状记忆合金薄膜驱动的新型微泵已经研制成功。为了进一步提高微泵性能 ,研究了微泵在不同驱动条件下的动态特性。结果表明 ,随着驱动电流和频率的增加 ,驱动膜有一个最大的位移值。占空比对最大位移的影响在有无流体情况下是不同的。微泵的流量不仅仅由驱动膜的位移决定 ,它还与驱动频率有关。在给定的频率下 ,位移越大 ,输出流量也越大。动态驱动过程中NiTi电阻的变化表明 ,形状记忆合金薄膜的马氏体 奥氏体相转变是不完全的。
徐东王莉丁桂甫周勇俞爱斌程秀兰陈鉴蔡炳初
关键词:形状记忆合金微泵
微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程被引量:1
2000年
观察和分析了300μm×40μm×40nm的 NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是 Neel畴壁从正极性壁(N_+)转变为负极性壁(N_)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即 N_+→N_直接转变及经由十字壁(N_ct)的 N_+→N_ct→N_间接转变)进行了分析讨论. N_往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展. N_+→N_ct的转变是通过 N_+ 壁的数次分裂来实现的.
余晋岳朱军周狄禹金强俞爱斌蔡炳初魏福林
关键词:反磁化磁畴
新型磁头材料FeAlNbVNO薄膜结构及磁性能研究
俞爱斌
共2页<12>
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