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刘斌: 作品数：13 被引量：1H指数：1; 供职机构：云南师范大学更多>>; 发文基金：云南省应用基础研究基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电气工程语言文字电子电信金属学及工艺更多>>

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ZnS溅射功率对Cu2ZnSnS4薄膜附着性及太阳电池性能的影响: 2019年; 采用不同ZnS溅射功率,在钠钙玻璃(SLG)衬底上依次溅射Mo、ZnS、SnS及Cu,退火后制备出Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。研究了溅射功率(50~140W)对ZnS薄膜和CZTS薄膜的微观形貌、微结构以及附着性的影响。结果表明,不同功率溅射的ZnS薄膜为(008)择优取向的纤锌矿六方晶系结构;功率较低时,ZnS薄膜结晶质量较差;随着功率从50 W增加到140 W,ZnS薄膜内的压应力增加了一个数量级;ZnS溅射功率低于80 W或高于110 W时,退火后的CZTS薄膜发生龟裂甚至脱落;ZnS溅射功率在80~110 W时,退火后CZTS薄膜表面均匀平整;110 W溅射后的CZTS薄膜出现较多的孔洞和二次相。采用80 W功率溅射ZnS薄膜制备的CZTS/CdS太阳电池,开路电压达到572 mV,短路电流密度为14.23 mA/cm^2,光电转换效率为3.34%。; 王璐郭杰郝瑞亭顾康刘斌王远方舟孙帅辉; 关键词：硫化锌附着性

结构优化的银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法: 本发明公开了一种结构优化的银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域。所述太阳电池包括依次连接的玻璃衬底、背电极、吸收层、缓冲层、透明导电窗口层和上电极，所述吸收层的预制层结构为Cu/Sn/Ag/ZnS。本...; 郝瑞亭顾康郭杰刘欣星孙帅辉魏国帅刘斌王璐马晓乐; 文献传递

分子束外延生长AlInAsSb超晶格材料的方法: 本发明公开了一种分子束外延生长短波红外AlInAsSb超晶格的优化方法，其步骤为：测定AlInAsSb中三族元素的源炉温度及相应的束流值，及其五族元素相应的束流值以及分子束外延生长的基准温度Tc，并...; 郝瑞亭常发冉郭杰李勇刘欣星顾康刘斌王璐; 文献传递

能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构及制备方法: 本发明公开了一种能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构及制备方法，包括依次连接的玻璃衬底、背电极、底层Cu‑Sn合金层、ZnS层、顶层Cu‑Sn合金层，其中，所述背电极为Mo薄膜，厚度为1μm；...; 郝瑞亭刘欣星郭杰顾康魏国帅刘斌王璐马晓乐孙帅辉; 文献传递

ZnO中间层及Na掺杂对铜锌锡硫基薄膜太阳电池的影响研究: 能源是工业发展乃至全球社会发展的必需品,而现在使用最多的化石能源一方面燃烧后对环境会产生很严重的污染,另一方面也面临枯竭的趋势。寻找可再生且无污染的清洁能源迫在眉睫。作为一种非常有发展前景的绿色能源,太阳能已经被广泛利用...; 刘斌; 关键词：中间层; 文献传递

结构优化的银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法: 本发明公开了一种结构优化的银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域。所述太阳电池包括依次连接的玻璃衬底、背电极、吸收层、缓冲层、透明导电窗口层和上电极，所述吸收层的预制层结构为Cu/Sn/Ag/ZnS。本...; 郝瑞亭顾康郭杰刘欣星孙帅辉魏国帅刘斌王璐马晓乐; 文献传递

分子束外延生长AlInAsSb超晶格材料的优化方法: 本发明公开了一种分子束外延生长短波红外AlInAsSb超晶格的优化方法，其步骤为：测定AlInAsSb中三族元素的源炉温度及相应的束流值，及其五族元素相应的束流值以及分子束外延生长的基准温度Tc，并...; 郝瑞亭常发冉郭杰李勇刘欣星顾康刘斌王璐; 文献传递

一种铜锌锡硫薄膜太阳电池: 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳电池，包括依次连接的玻璃衬底、背电极、吸收层、第二中间层、缓冲层、透明导电窗口层和上电极，其中，所述背电极为Mo薄膜，厚度为1μm；所述吸收层为磁控溅射沉积的铜锌锡硫薄膜，厚度为900‑1...; 郭杰刘斌郝瑞亭刘欣星王璐顾康王飞翔李勇吴鹏; 文献传递

一种铜锌锡硫薄膜制备方法: 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜制备方法，其步骤：在洗净的SLG表面上镀1μm厚的钼电极；用四元化合物铜锌锡硫靶溅射得到铜锌锡硫薄膜预制层；将上述条件下制备的预制层于570~590℃无硫源原位退火25‑35min。本方法基于...; 郭杰刘斌郝瑞亭刘欣星王璐顾康王飞翔李勇吴鹏孙帅辉马晓乐魏国帅; 文献传递

能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构及制备方法: 本发明公开了一种能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构及制备方法，包括依次连接的玻璃衬底、背电极、底层Cu‑Sn合金层、ZnS层、顶层Cu‑Sn合金层，其中，所述背电极为Mo薄膜，厚度为1μm；...; 郝瑞亭刘欣星郭杰顾康魏国帅刘斌王璐马晓乐孙帅辉; 文献传递