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吴世勇

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇绝缘栅双极晶...
  • 3篇横向绝缘栅双...
  • 1篇电流
  • 1篇电路
  • 1篇电路分析
  • 1篇电压
  • 1篇电压电流
  • 1篇压降
  • 1篇正向压降
  • 1篇数值模拟
  • 1篇特性分析
  • 1篇晶闸管
  • 1篇绝缘
  • 1篇功率晶体管
  • 1篇LIGBT
  • 1篇MOS
  • 1篇新结构

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇吴世勇
  • 4篇李肇基
  • 3篇曾军
  • 1篇唐茂成
  • 1篇李学宁

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇全国第六届I...

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性被引量：1
1992年
本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型.根据双极传输理论,考虑电导调制效应、闭锁效应、反向注入及电流的多维效应,导出一种漂移宽基区双极—MOS器件的电路网络模型.首次将此模型直接嵌入SPICE3A.7中.计算CLIGBT在不同栅压和横向电阻下的静态闭锁特性及在不同漂移区长度和不同PMOS宽长比下的瞬态闭锁特性.由此可解决含有CL-lGBT等BIMOS类器件的高压集成电路HVIC的设计问题.
李肇基王国新曾军吴世勇
关键词：双极晶体管
横向绝缘栅双极晶体管特性的模拟与分析
吴世勇
横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析
1990年
求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p^+ 短路槽和 p^-/p^+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。
李肇基曾军吴世勇
关键词：绝缘双极晶体管电压电流
LIGBT正向压降的二维数值分析
吴世勇李肇基曾军
关键词：数值模拟压降功率晶体管电路分析
新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制被引量：2
1997年
本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新结构MCT器件，其电流关断能力分别达到114A／cm2和41A／cm2．
李学宁李肇基吴世勇唐茂成
关键词：晶闸管MOS
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共1页<1>
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