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李学宁

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇晶闸管
  • 1篇开关
  • 1篇功率器件
  • 1篇发射极
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS控制
  • 1篇MOS控制晶...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应器件
  • 1篇新结构

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇唐茂成
  • 3篇李肇基
  • 3篇李学宁
  • 1篇吴世勇
  • 1篇王新

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
新型发射极开关类晶闸管
1995年
本文提出了两种新型发射极开关晶闸管：辅助关断发射极开关晶闸管ＡＯＥＳＴ（ａｓｓｉｓｔａｎｔｏｆｆｅｍｉｔｔｅｒｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）和双注入发射极开关晶闸管ＤＩ－ＥＳＴ（ｄｕａｌｉｎｊｅｃｔｉｏｎｅｍｉｔｔｅｒｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）。研究了发射极开关类晶闸管ＥＳＴ（ｅｍｉｔｔｅｒｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）、ＡＯＥＳＴ、ＤＩＥＳＴ正向工作特性及关态工作特性，比较了它们各自的优缺点，同时为该类功率器件发展提出了设想。
王新李学宁李肇基唐茂成
关键词：发射极开关晶闸管功率器件
MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究被引量：3
1996年
本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。
李学宁唐茂成李肇基李原刘玉书
关键词：MOS控制晶闸管场效应器件
新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制被引量：2
1997年
本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新结构MCT器件，其电流关断能力分别达到114A／cm2和41A／cm2．
李学宁李肇基吴世勇唐茂成
关键词：晶闸管MOS
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共1页<1>
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