周海龙
- 作品数：12 被引量：21H指数：3
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 利用双基色发光二极管研究白光发光二极管被引量：3
- 2002年
- 介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势。详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理,并讨论了制作过程,包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用。最后对器件性能作出评价。
- 齐云黄柏标陈文澜于永琴周海龙
- 关键词：白光发光二极管
- 异常掺杂引起的AlGaInP同型结结构
- 2002年
- 用电化学 C- V和 I- V特性分析的方法 ,对 Mg掺杂在 MOCVD生长 Al Ga In P发光二极管 (L ED)的影响进行了研究。通过电化学 C- V分析 ,确定了在生长结构中 Mg掺杂从有源层到 Ga P窗口层由高到低的情况 ;用 I- V特性分析的方法对器件结构进行了分析 ,发现了异常的实验结果。同时理论计算得到了同型结 (N+ - N,P+ - P)的势垒高度和空间电荷区的宽度 ,由此得到了在同型结两侧浓度比不同时的差异 ,极好的解释了异常的 I- V测试结果。
- 周海龙黄柏标于永芹尉吉勇潘教青齐云陈文澜张晓阳秦晓燕任忠祥李树强
- 关键词：ALGAINP发光二极管掺杂
- 开放环境中的专业人才创新能力培养
- 在经济全球化、教育现代化的时代背景下，高等教育进入到一个全新的改革环境中，高校自身的改革与专业自身的发展也进入到一个全新的开放环境中。构建开放式的人才培养模式，营造多样化的学习与实践环境是当务之急。
- 张慧周海龙
- 关键词：开放环境校企互动
- 应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In_(0.5)(GaAl)_(0.5)P/GaAs大功率激光二极管(英文)
- 2002年
- 生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL表征其光学性质。 PL峰为765 nm。制得 10 0 μm、宽 1m m长条形。测得阈值电流为 3 15 m A,斜率效率超过 1W/A,功率转换可达 40 %左右。注入电流 1.5 A,光功率单管输出达到 1.2 W。
- 尉吉勇黄伯标于永芹周海龙潘教青张晓阳秦晓燕陈文兰齐云
- 关键词：MOCVD
- 高亮度AlGaInP发光二极管的稳定性研究
- 该文主要研究了AlGaInP发光二极管的稳定性.近年来,由于发光二极管在平面显示、汽车用灯和指示灯等方面迅速替代了传统光源,因此对于发光二极管的研究正在方兴未艾之中.对于在实际应用系统中大规模使用的AlGaInP发光二极...
- 周海龙
- 关键词：ALGAINP发光二极管MOCVD退火
- 可见光共振腔发光二极管的研究进展
- 2002年
- 共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。
- 陈文澜黄柏标齐云于永芹周海龙尉吉勇潘教青
- 关键词：发光二极管共振腔分布布拉格反射镜发光特性
- GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响被引量：3
- 2003年
- 在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果。由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高AlGaInP LED的器件的稳定性。
- 周海龙黄柏标潘教青于永芹尉吉勇陈文澜齐云张晓阳秦晓燕任忠祥李树强
- 关键词：发光二极管稳定性砷化镓GAASMOCVD化学气相沉积法
- InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响被引量：3
- 2003年
- 本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。
- 于永芹黄柏标尉吉勇潘教青周海龙齐云陈文澜秦晓燕张晓阳任忠祥
- 关键词：量子尺寸效应MOCVD金属有机物化学气相淀积
- AlGaAs/AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征被引量：4
- 2002年
- 设计并利用 MOCVD在 (311) Ga As衬底上生长了 12 .5个周期的 Al0 .6 Ga0 .4 As/ Al As黄绿光分布式 Bragg反射 (DBR)体系 ,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布 ,反射率 90 %以上 ,波长不均匀性在 1.0 %以下 ;利用了 X射线双晶衍射对其进行结构表征 ,5 80 nm波长 DBR结构周期为 84 .5 nm。
- 尉吉勇黄柏标于永芹周海龙岳金顺王笃祥潘教青秦晓燕张晓阳徐现刚
- 关键词：DBRMOCVD半导体
- MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文)
- 2003年
- 用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响。研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增大的原因。同时也研究了应变MQWs中In组分与气相中TMIn含量的关系,为准确设计和控制MQWs的组分提供了依据。
- 于永芹黄柏标尉吉勇潘教青周海龙岳金顺李树强张晓阳秦晓燕陈文澜齐云王笃祥任忠祥
- 关键词：多量子阱MOCVD
