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潘教青

作品数：190 被引量：121H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 134篇专利
  • 38篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 71篇电子电信
  • 9篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 84篇激光
  • 80篇激光器
  • 44篇硅基
  • 31篇刻蚀
  • 28篇半导体
  • 25篇波导
  • 24篇砷化镓
  • 22篇氧化硅
  • 20篇二氧化硅
  • 18篇衬底
  • 16篇调制
  • 16篇光栅
  • 16篇半导体激光
  • 16篇半导体激光器
  • 15篇多量子阱
  • 14篇单片
  • 13篇单片集成
  • 13篇反馈激光器
  • 12篇电吸收
  • 12篇电吸收调制

机构

  • 167篇中国科学院
  • 23篇山东大学
  • 8篇山东华光光电...
  • 3篇吉林大学
  • 2篇华侨大学
  • 2篇北京光电技术...
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇山东理工大学
  • 1篇山东师范大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇都灵理工大学
  • 1篇邓迪大学
  • 1篇集成光电子学...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 190篇潘教青
  • 104篇王圩
  • 90篇周旭亮
  • 80篇于红艳
  • 43篇赵玲娟
  • 37篇朱洪亮
  • 35篇王宝军
  • 20篇李士颜
  • 20篇李梦珂
  • 20篇边静
  • 18篇黄柏标
  • 16篇米俊萍
  • 16篇周帆
  • 15篇王鹏飞
  • 12篇秦晓燕
  • 10篇尉吉勇
  • 10篇于永芹
  • 9篇王鲁峰
  • 9篇赵谦
  • 9篇蒋民华

传媒

  • 7篇光电子．激光
  • 6篇物理学报
  • 4篇Journa...
  • 4篇激光与光电子...
  • 3篇量子电子学报
  • 3篇第十五届全国...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇华侨大学学报...
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇中兴通讯技术
  • 1篇计算机测量与...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2024
  • 7篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 9篇2020
  • 4篇2019
  • 8篇2018
  • 9篇2017
  • 13篇2016
  • 11篇2015
  • 7篇2014
  • 20篇2013
  • 19篇2012
  • 8篇2011
  • 12篇2010
  • 5篇2009
  • 8篇2008
  • 6篇2007
  • 9篇2006
  • 3篇2005
共 190 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
可见光共振腔发光二极管的研究进展
2002年
共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。
陈文澜黄柏标齐云于永芹周海龙尉吉勇潘教青
关键词：发光二极管共振腔分布布拉格反射镜发光特性
选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法
本发明是一种选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法，包括：在半绝缘InP衬底上制作掩膜条图形；依次外延生长重掺杂n－InP缓冲层、1.2Q下限制层、调制器的多量子阱结构、激光器的多量子阱结构、1.2Q上限制层与n...
王桓朱洪亮潘教青程远兵
文献传递
超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源被引量：6
2006年
采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feed backlaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率为4·5mW,在5V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10GHz、半高宽(full_width_at_half_maximum,FWHM)为13·7ps的超短光脉冲.
赵谦潘教青张靖周光涛伍剑周帆王宝军王鲁峰王圩
关键词：超低压集成光电子器件超短光脉冲
GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响被引量：3
2003年
在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果。由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高AlGaInP LED的器件的稳定性。
周海龙黄柏标潘教青于永芹尉吉勇陈文澜齐云张晓阳秦晓燕任忠祥李树强
关键词：发光二极管稳定性砷化镓GAASMOCVD化学气相沉积法
硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法
一种硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法，包括：在SOI片顶层硅层上制作取样光栅；在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度相同的硅波导和两侧的硅挡墙；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，硅挡墙和金属层...
袁丽君于红艳周旭亮王火雷潘教青
文献传递
石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法
一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法，包括如下步骤：在SOI片的顶层硅上制作硅波导；在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅，形成基片；进行金属剥离，得到键合前的SOI部分；在一衬底上依次外延生长下分...
任正良阚强袁丽君潘教青王圩
文献传递
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；步骤3：采用KOH湿法刻蚀在沟...
周旭亮于红艳王宝军潘教青王圩
一种半导体纳米材料的应用
本发明涉及磷化物、氮化物半导体纳米材料的制备方法及其应用。将三氯化镓或三氯化铟溶入有机溶剂二甲苯、氯苯或吡啶中，使其浓度达到0.05-0.4摩尔/升；边加热边强烈搅拌，同时加入磷化钠或氮化锂，持续加热搅拌1-4小时，所得...
崔得良徐现刚高善民殷永泉黄柏标潘教青王继扬蒋民华
文献传递
制备硅基砷化镓材料的方法
一种制备硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：在硅衬底1上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出沟槽；分别用piranha、SC<Sub>2</Sub>、HF和去...
周旭亮于红艳张心潘教青王圩
文献传递
用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器的研究
本文设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(Distributed Feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB...
王路谢红云赵玲娟潘教青周帆边静王鲁峰朱洪亮王圩
关键词：分布反馈激光器微波信号集成器
文献传递
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