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周静涛

作品数:5 被引量:36H指数:3
供职机构:山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:环境科学与工程理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇环境科学与工...
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸铋
  • 2篇光催化
  • 2篇光催化材料
  • 2篇BI
  • 2篇催化
  • 1篇氧化钛
  • 1篇栅介质
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇射线衍射
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒高度
  • 1篇染料废水
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇介质

机构

  • 5篇山东大学
  • 1篇山东轻工业学...

作者

  • 5篇周静涛
  • 4篇姚伟峰
  • 4篇杨雪娜
  • 4篇王弘
  • 4篇张寅
  • 2篇许效红
  • 2篇尚淑霞
  • 2篇刘延辉
  • 1篇黄柏标
  • 1篇黄伯标

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 5篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
光催化材料的最新研究进展被引量:7
2004年
综述了最近几年TiO2改性的研究,简要介绍了其他光催化材料的研究进展,并结合本课题组的工作,介绍了对一种新型光催化材料Bi-Ti-O系列材料研究的最新进展.指出:今后光催化材料的发展方向仍以TiO2改性的研究为主导;以钛酸铋(Bi4Ti3O12、Bi12TiO20)为代表的新型光催化材料,有着催化效率高,低能隙等突出的优点,有着广阔的应用前景.
周静涛王弘黄柏标许效红姚伟峰张寅杨雪娜
关键词:光催化材料TIO2钛酸铋
High-k材料研究进展与存在的问题被引量:4
2004年
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料。
杨雪娜王弘张寅姚伟峰尚淑霞周静涛刘延辉
关键词:介电常数势垒高度热稳定性栅介质材料半导体材料
纳米晶体光催化剂降解染料废水的最新研究进展被引量:22
2004年
本文综述了近期光催化降解染料废水的研究进展,从光催化剂、反应条件、光降解反应产物及光催化降解染料废水的应用性四个方面介绍了其研究现状,指出今后的研究方向将集中在新型光催化剂的开发及光催化剂表面改性、光催化体系、光催化降解染料的反应机理及光催化剂与其它水处理技术的结合。
周静涛王弘黄伯标许效红姚伟峰张寅杨雪娜
关键词:废水降解染料废水表面改性
化学溶液沉积法制备掺镧Bi_2Ti_2O_7薄膜及其特性的研究被引量:3
2004年
采用化学溶液沉积法 ,在Si(10 0 )衬底上制备了 (Bi0 .92 5La0 .0 75) 2 Ti2 O7薄膜。通过对其X射线衍射图谱分析表明 :用一定量的La3+ 来代替部分Bi3+ ,提高了Bi2 Ti2 O7相薄膜的稳定性。研究发现 :经过高温 (85 0℃ )退火处理后 ,该薄膜的结晶性和取向性都很好 ,[111]方向取向率为 90 %。根据XRD谱图中的 (4 4 4)衍射峰 ,计算出晶格常数a≈ 2 0 .66 。薄膜的电流电压和电容电压特性的测量结果表明 ,该薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数。
杨雪娜王弘尚淑霞姚伟峰张寅刘延辉周静涛
关键词:化学溶液沉积法X射线衍射
TiO<,2>/Bi<,12>TiO<,20>复合光催化材料的研究
近些年来,环境污染日益严重,成为威胁人类生存的一个严重问题.为了解决这一难题,人们展开了治理污染、保护环境的科学研究.以半导体为催化剂,利用太阳光催化氧化有毒污染物质作为一种有效的治理污染方法,成为环境保护科学研究的一个...
周静涛
关键词:光催化钛酸铋二氧化钛复合纳米材料
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共1页<1>
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