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国洪轩

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇陶瓷靶材
  • 6篇靶材
  • 4篇电解质
  • 4篇氧化物薄膜
  • 4篇小尺寸
  • 4篇离子
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇记忆
  • 4篇分子激光器
  • 4篇衬底
  • 3篇导电
  • 3篇导电性
  • 3篇离子导电
  • 3篇离子导电性
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇固体电解质
  • 3篇非晶
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物陶瓷

机构

  • 13篇南京大学

作者

  • 13篇国洪轩
  • 12篇殷江
  • 12篇刘治国
  • 8篇夏奕东
  • 4篇徐波
  • 4篇高立刚
  • 2篇李魁
  • 2篇陈亮
  • 2篇高旭
  • 2篇尹奎波
  • 2篇李海涛
  • 2篇闫小兵
  • 2篇蒋坤

年份

  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
非晶铟锡氧化物薄膜及其在制备阻变存储元件中的应用
本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻...
蒋坤夏奕东徐波国洪轩殷江刘治国
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固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>1－x－y</Sub>，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其...
国洪轩闫小兵高立刚殷江刘治国
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基于非晶固体电解质薄膜(AgI)<Sub>x</Sub>(AgPO<Sub>3</Sub>)<Sub>1－x</Sub>及其制备方法
本发明公开了一种新型记忆材料，非晶固体电解质薄膜(AgI)<Sub>x</Sub>(AgPO<Sub>3</Sub>)<Sub>1－x</Sub>，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶固...
殷江国洪轩尹奎波陈亮刘治国
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固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用
本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>O<Sub>1-x-y</Sub>，简称Ag-Ge-O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其...
国洪轩闫小兵高立刚殷江刘治国
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一种非晶镧镥氧化物阻变薄膜及其制备方法和应用
一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40－60％的La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和40－60％的Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
李魁夏奕东国洪轩高旭殷江刘治国
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一种非晶镧镥氧化物阻变薄膜及其制备方法和应用
一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和40-60％的Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
李魁夏奕东国洪轩高旭殷江刘治国
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两种银离子固体电解质阻变存储器的设计、制备与开关机制研究
随着半导体技术的发展,集成电路上的CMOS器件尺寸越来越小。目前,进一步减小光刻的线宽在技术上难度越来越大,而随着器件的缩小,量子隧穿效应导致器件漏电流和功耗的急剧增加将使器件失效。集成电路科技正面临着物理和工艺两大极限...
国洪轩
关键词：银离子固体电解质脉冲激光沉积
一种非晶态固体薄膜材料Ag<Sub>1－x－y</Sub>Ge<Sub>x</Sub>Se<Sub>y</Sub>和制备方法及其应用
本发明公开了一种非晶态薄膜相变记忆材料Ag<Sub>1－x－y</Sub>Ge<Sub>x</Sub>Se<Sub>y</Sub>(0.1＜x＜0.3，0.38＜y＜0.60，其中x，y为原子比，简称AGS)的制备。基于...
刘治国陈亮尹奎波国洪轩殷江
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非晶铟锡氧化物薄膜及其在制备阻变存储元件中的应用
本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻...
蒋坤夏奕东徐波国洪轩殷江刘治国
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基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法
基于铁电金属异质结的忆阻器，其中忆阻器材料铁电铌酸锂，采用脉冲激光沉积系统制备：将单晶LN靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统的靶台(5)上，放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室(6)中；生长室中的真空抽到0.8×10<S...
李海涛夏奕东徐波国洪轩殷江刘治国
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共2页<12>
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