夏君磊
- 作品数：25 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法
- 一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化...
- 安俊明李健郜定山夏君磊李建光王红杰胡雄伟
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- 实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法
- 一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层；(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数...
- 安俊明李健郜定山夏君磊李建光王红杰胡雄伟
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- 单侧耦合16通道100GHz硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制
- 2005年
- 介绍了一种新型单侧耦合16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)。通过增加一个Y分支波导结构,将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,仅用一个光纤阵列(FA)就可以对AWG器件进行耦合封装。这种AWG的结构设计可有效地减小器件尺寸和增加波导结构的弯曲半径,可减少器件的抛光和耦合时间,可降低器件的成本。
- 李健安俊明王红杰夏君磊郜定山胡雄伟
- 关键词：阵列波导光栅
- 掩埋式多模干涉型分束器的反射性能
- 通过BPM方法模拟了SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器的反射性能，模拟结构表明，SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器对反射具有良好的抑制作用，最大反射功率为－60dB。进一步分析表明，多模干涉区末端的界面反射率决定了器...
- 夏君磊吴远大安俊明郜定山李健胡雄伟
- 关键词：波导多模干涉分束器
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- 紫外写入技术制备光波导器件研究被引量：1
- 2006年
- 研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加0.34%.详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况.最后,采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品,并观测到了通光现象,实测结果与模拟结果一致.
- 吴远大夏君磊安俊明李建光王红杰胡雄伟
- 关键词：折射率分束器
- 单侧耦合 1 6×0.8nm阵列波导光栅的设计、制备及测试(英文)
- 2005年
- 介绍了一种新型 16通道、10 0GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅 (AWG) .通过增加一个Y分支波导结构 ,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列 ,实现了仅用一个光纤阵列进行AWG器件的耦合封装 .这种AWG的结构设计可以有效地减小器件尺寸 ,增加波导结构的弯曲半径 ,减少器件抛光及耦合时间 ,并降低器件成本 .
- 李健安俊明王红杰夏君磊胡雄伟
- 关键词：波分复用
- 紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法
- 一种通过紫外写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；(2)对上述基片进行载氢；(3)对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整...
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- 马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析被引量：3
- 2004年
- 通过耦合模理论分析了马赫 曾德干涉(MZI)型波分复用器各结构参数工艺误差对器件串扰的影响,比较了各结构参数的工艺容差性。结果表明,如果串扰要求在-30dB以下,则波导臂长差的容差性为1%,耦合长度的容差性为2%,波导宽度的容差性较好;容差达到0.6μm时,串扰仍然在-58dB;波导间距对工艺精度要求最高,要求误差小于0.03μm。
- 夏君磊郜定山安俊明李健吴远大胡雄伟
- 关键词：波分复用器串扰容差分析
- 掩埋式多模干涉型分束器的反射性能被引量：1
- 2006年
- 通过束传播方法(BPM)模拟了SiO2基掩埋式波导结构多模干涉(MMI)型分束器的反射性能,模拟结果表明,MMI工作在分束模式时存在最优的多模干涉长度实现最大输出和最小反射,而在合束模式下实现最大输出时反射也达到最大,这是由自映象原理决定的。SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器对反射具有良好的抑制作用,其最大反射功率为-60dB。分析表明,多模干涉区末端的界面反射率决定了器件的反射强弱,SiO2基掩埋式波导的界面反射率非常低,这是其低反射的原因。
- 夏君磊吴远大安俊明郜定山李健胡雄伟
- 关键词：多模干涉
- 采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法
- 一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化...
- 安俊明李健郜定山夏君磊李建光王红杰胡雄伟
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