孙孟相
- 作品数：6 被引量：17H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法
- 本发明公开了一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前...
- 谭满清孙孟相
- 文献传递
- 质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响被引量：1
- 2007年
- 用能量分别为350keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试.结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前者引起的出光功率的退化更大,造成的辐照损伤更加严重.采用TRIM程序对质子入射到器件材料中的射程分布进行了模拟,初步探讨了SLD在350keV和1MeV能量质子辐照下的损伤效应.
- 赵妙孙孟相
- 关键词：辐照损伤
- 实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法
- 本发明公开了一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前...
- 谭满清孙孟相
- 质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响
- 用能量分别为300keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试,结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV...
- 赵妙孙孟相
- 关键词：超辐射发光二极管半导体器件电学性能
- 文献传递
- 超辐射发光二极管的总剂量辐射效应实验
- 采用Co-γ线模拟源对超辐射发光二级管（SLD）模块进行了大量总剂量辐射的模拟实验,最高剂量率为50 rad/s,总剂量的范围为1×10～5 rad/Si～1×10～6 rad/Si,对辐照前后器件的特性参数进行了测试。...
- 焦健谭满清赵妙孙孟相
- 关键词：总剂量辐射输出功率
- 文献传递
- 1300nm超辐射发光二极管寿命测试被引量：16
- 2008年
- 作为光纤陀螺用光源的超辐射发光二极管(SLD)随着工作时间的延续,其性能会发生退化。采用加速老化的实验方法来估算InGaAsP SLD管芯的工作寿命。分别在环境温度373 K和358 K下对5只SLD管芯进行加速老化,并通过对P-t曲线拟合来推算和估计管芯的老化速率和激活能。计算出了器件的激活能平均值约为0.82 eV,SLD管芯在室温下的工作寿命超过106h,可以满足光纤陀螺用光源的寿命要求。对影响SLD管芯可靠性的因素以及管芯的退化机理进行了分析,为研制高可靠性的超辐射发光二极管提供了理论基础。
- 孙孟相谭满清王鲁峰
- 关键词：光学器件超辐射发光二极管激活能
