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张允强

作品数：13 被引量：6H指数：2
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇分子束
  • 5篇掺杂
  • 4篇异质结
  • 4篇分子束外延
  • 3篇Δ掺杂
  • 3篇XGA
  • 3篇INGAAS...
  • 3篇GAAS
  • 2篇调制掺杂
  • 2篇砷化镓
  • 2篇晶格
  • 2篇SI
  • 2篇AL
  • 2篇超晶格
  • 1篇低温生长GA...
  • 1篇电镜
  • 1篇电子器件
  • 1篇多量子阱
  • 1篇异质结构材料
  • 1篇应变超晶格

机构

  • 10篇南京电子器件...
  • 3篇南京大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 13篇张允强
  • 9篇高翔
  • 8篇孙娟
  • 2篇吴鹏
  • 2篇蒋树声
  • 2篇汤定元
  • 2篇郭少令
  • 2篇郑国珍
  • 2篇韦亚一
  • 1篇张崇仁
  • 1篇朱顺才
  • 1篇黄文裕
  • 1篇邓衍茂
  • 1篇沈金熙
  • 1篇薛舫时

传媒

  • 10篇固体电子学研...
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2005
  • 3篇1994
  • 4篇1993
  • 5篇1992
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究被引量：4
1992年
用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。
张允强彭正夫高翔孙娟黄文裕
关键词：分子束异质结调制掺杂
Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运
1994年
使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阶结构．在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化．在０．３～４．２Ｋ（３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻．观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡．根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中磁致金属一绝缘体转变的实验条件．
韦亚一郑国珍郭少令汤定元彭正夫张允强
关键词：多量子阱砷化镓
分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究
1993年
报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。
张允强高翔彭正夫孙娟蒋树声章灵军
关键词：分子束外延超晶格
应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究
1993年
用光调制反射谱和透射电镜技术研究分子束外延生长的应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs,并讨论了实验结果。
高翔张允强孙娟彭正夫蒋树声章灵军
关键词：分子束外延INGAAS/GAAS电镜
MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料
1993年
人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(～10000cm^2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,掺杂InAlAs中不存在类似AlGaAs中的DX中心。
彭正夫张允强高翔孙娟吴鹏
关键词：半导体材料化合物半导体
InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用
1994年
概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。
彭正夫张允强龚朝阳高翔孙娟吴鹏
关键词：微波器件INGAAS/GAAS
δ掺杂样品中空穴态的新行为
1993年
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势阱中的电子波函数交叠,产生光跃迁。用MBE生长的δ掺杂样品进行光调制光谱测量,发现明显的带间跃迁峰。测得的光谱峰同理论计算的能级相吻合,证实了δ势垒中空穴的新行为。
章灵军薛舫时张允强彭正夫高翔
关键词：Δ掺杂
调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究被引量：2
1992年
报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。
彭正夫张允强高翔孙娟朱顺才
关键词：分子束外延调制掺杂
Siδ掺杂Al＿xGa＿（1─x）As／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究
1994年
使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＿０／ｍ＿０＝０．０７３，ｍ＿１／ｍ＿０＝０．０６８）．随温度降低，子带上占据的电子增多，实验中发现：当样品温度为０．３Ｋ，横向磁场从０到７Ｔ扫描时，磁阻振荡出现间歇性的反常峰，磁阻振幅陡然增大５－６倍。
韦亚一沈金熙郑国珍郭少令汤定元彭正夫张允强
关键词：Δ掺杂异质结磁阻
异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW
1992年
当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。
薛舫时邓衍茂张崇仁彭正夫张允强
关键词：异质结电子器件
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