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李亚虹

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇原子团
  • 1篇退火
  • 1篇SIH
  • 1篇氢
  • 1篇A-SI
  • 1篇C60
  • 1篇H
  • 1篇C_(60)

机构

  • 2篇兰州大学

作者

  • 2篇陈光华
  • 2篇李亚虹
  • 1篇孙国胜
  • 1篇马国斌
  • 1篇巩金龙
  • 1篇张仿清

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇兰州大学学报...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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退火对C_（60）薄膜电学性质的影响
1996年
本文研究了退火对Ｃ６０膜电导率的影响．结果表明，从室温到２００℃的温度范围内，Ｃ６０膜具有明显的半导体性质，室温电导率在１０－５～１０－７（Ω·ｃｍ）－１的范围内．薄膜在２００℃温度下恒温保持过程中，当时间小于２．５小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的ｈｃｐ相的减少引起的；而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于２．５小时的薄膜电导率的减小．相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高，从而使电导率变小．通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大，这些缺陷在Ｃ６０膜的能带中引入缺陷态．σ－１／Ｔ图中高温区域电导偏离直线是由于在退火过程中不稳定的结构相向稳定的ｆＣＣ相转变．
巩金龙李亚虹马国斌陈光华
关键词：C60电学性质退火
氢对a-Si∶H结构影响的理论分析
1990年
在 a—Si∶H 薄膜中,H 严重地影响了 a—Si∶H 薄膜的光电性能.我们用自洽场分子轨道理论和 CNDO/2近似方法.计算了[Si_8H_(18)]和[Si_8]原子团结构模型,得到了如下结论,亦即随着[Si_8H_(18)]和[Si_8]结构中取代 H 数目的增加,这些原子团趋于稳定,原子团的禁带宽度 Eg 也随之增大;原子团减小,Si—H 键使 Si—Si 键的作用加强.由此我们得出了随着取代氢数目的增加,整个体系的无序性增强的结论.
陈光华孙国胜李亚虹张仿清
关键词：氢原子团
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