李牧菊
- 作品数：16 被引量：72H指数：6
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划中国科学院院长基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究被引量：3
- 2001年
- 采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。
- 纪世阳李牧菊杨柏梁
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管热电子漏电流
- 淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响
- 1999年
- 利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。
- 朱永福李牧菊杨柏梁刘传珍廖燕平袁剑锋刘雅言申德振
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
- 2000年
- 利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
- 刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
- 关键词：晶化多晶硅薄膜退火
- 薄膜晶体管寻址液晶显示器中栅延迟导致的图像信号失真被引量：1
- 1999年
- 考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容所构成的RC常数对栅延迟的影响,建立了a_SiTFT_LCD的等效电路模型。讨论了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系。计算了用典型金属材料作栅电极时,在栅线的不同位置上,象素电容的最大充电能力与栅延迟,为大面积、高分辨率TFT_LCD提供了设计依据。
- 李牧菊杨柏梁杨柏梁朱永福袁剑峰吴渊廖燕平
- 关键词：信号延迟TFT-LCD
- 高清晰度液晶显示用薄膜晶体管的研制
- 本论文围绕高清晰度液晶显示用薄膜晶体管进行研究，通过材料制备工艺及器件结构的优化，实现适用于大容量、高品质液晶显示的寻址和驱动的薄膜晶体管的开发。从非晶硅及多晶硅薄膜晶体管(简称a-Si／p-SiTFT)的基本薄膜材料a...
- 李牧菊
- 关键词：薄膜晶体管液晶显示多晶硅非晶硅
- 文献传递
- TFT阵列金属电极的制备与性能被引量：4
- 2000年
- 利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响 ,得到了制作 TFT器件中优质金属电极的工艺参数。
- 王大海杨柏梁吴渊刘传珍李牧菊李轶华张玉廖燕平
- 关键词：磁控溅射金属薄膜金属电极
- Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究被引量：6
- 2000年
- 利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属
- 刘传珍杨伯梁李牧菊吴渊张玉廖燕平王大海黄锡珉邱法斌
- 关键词：多晶硅薄膜退火
- 高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制被引量：1
- 1999年
- 介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。
- 袁剑峰杨柏梁朱永福李牧菊刘传珍吴渊廖燕平王刚邵喜斌刘宏武黄锡珉
- 关键词：开关器件有源层栅绝缘层液晶显示器
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：12
- 2001年
- 利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 。
- 刘传珍杨柏梁袁剑峰李牧菊吴渊寥燕平张玉王大海黄锡珉
- 关键词：金属诱导晶化多晶硅
- 周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算
- 1999年
- 建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 Ｔ Ｆ Ｔ 的线性近似和 Ｅｌｍ ｏｒｅ 模型， 计算了周边驱动电路中的信号失真， 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 Ｔ Ｆ Ｔ 开态电阻的要求。
- 刘传珍杨柏梁李牧菊朱永福袁剑峰寥燕平吴渊黄锡珉
- 关键词：薄膜晶体管有源矩阵液晶显示
