刘传珍
- 作品数：8 被引量：37H指数：4
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- 淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响
- 1999年
- 利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。
- 朱永福李牧菊杨柏梁刘传珍廖燕平袁剑锋刘雅言申德振
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- 薄膜晶体管寻址液晶显示器中栅延迟导致的图像信号失真被引量：1
- 1999年
- 考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容所构成的RC常数对栅延迟的影响,建立了a_SiTFT_LCD的等效电路模型。讨论了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系。计算了用典型金属材料作栅电极时,在栅线的不同位置上,象素电容的最大充电能力与栅延迟,为大面积、高分辨率TFT_LCD提供了设计依据。
- 李牧菊杨柏梁杨柏梁朱永福袁剑峰吴渊廖燕平
- 关键词：信号延迟TFT-LCD
- Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究被引量：6
- 2000年
- 利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属
- 刘传珍杨伯梁李牧菊吴渊张玉廖燕平王大海黄锡珉邱法斌
- 关键词：多晶硅薄膜退火
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：12
- 2001年
- 利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 。
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- 关键词：金属诱导晶化多晶硅
- 周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算
- 1999年
- 建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 Ｔ Ｆ Ｔ 的线性近似和 Ｅｌｍ ｏｒｅ 模型， 计算了周边驱动电路中的信号失真， 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 Ｔ Ｆ Ｔ 开态电阻的要求。
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- 关键词：薄膜晶体管有源矩阵液晶显示
- 氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究被引量：6
- 1999年
- 用等离子体增强化学气相淀积（ Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ Ｓｉ∶ Ｈ）并进行了退火实验， 利用红外吸收光谱（ Ｉ Ｒ）和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象， 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ｔｓ 和射频功率 Ｐｒｆ 的依赖关系。
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- 关键词：非晶硅化学气相淀积红外光谱
- TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究被引量：4
- 1999年
- 建立了ａ－ＳｉＴＦＴＡＭＬＣＤ的等效电路模型，综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容构成的ＲＣ（ＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙＣａｐａｃｉｔａｎｃｅ）常数，模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系，为实现器件优化设计提供参考。
- 李牧菊杨柏梁朱永福刘传珍袁剑峰吴渊廖燕平
- 关键词：TFTAMLCD信号延迟液晶显示器
- 硅基TFT有源矩阵液晶显示技术被引量：8
- 1999年
- 介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ），特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性。
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- 关键词：多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示
