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杨中芹

作品数:6 被引量:5H指数:2
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家攀登计划湖南省优秀博士论文基金湖南省教育厅优秀青年基金更多>>
相关领域:理学电子电信轻工技术与工程电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 2篇电子结构
  • 2篇子结构
  • 1篇电子态
  • 1篇原子
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇态密度
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋密度
  • 1篇物理特性
  • 1篇结构和电子结...
  • 1篇紧束缚
  • 1篇紧束缚近似
  • 1篇局域
  • 1篇局域自旋密度...
  • 1篇分子
  • 1篇分子器件
  • 1篇伏安特性
  • 1篇富勒烯
  • 1篇半导体

机构

  • 6篇复旦大学
  • 1篇长沙理工大学

作者

  • 6篇杨中芹
  • 2篇叶令
  • 2篇徐至中
  • 1篇袁剑辉
  • 1篇王迅
  • 1篇邱明
  • 1篇周通
  • 1篇张开明
  • 1篇黄忠
  • 1篇谢希德
  • 1篇张振华

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1996
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
用计算凝聚态物理方法研究多种新型材料体系的结构,电子态和物理特性
叶令杨中芹徐至中王迅
该项目采用计算凝聚态物理中的主要方法,包括第一性原理和半经验方法,用密度泛函理论,处理了具有周期性的晶体材料和包含少量原子的团簇结构,计算了多种新型材料体系,有半导体超晶格,氮化镓,掺饵硅,半导体清洁表面和吸附表面,纳米...
关键词:
关键词:电子态
有机分子器件输运性质的接触距离效应被引量:1
2007年
在两金电极间置于空间对称的苯硫(PDT)分子构成一分子器件模型,并通过移动其中一电极变对称接触为非对称接触.利用第一原理方法研究了该器件的输运性质,结果表明,器件的I(G)-V特性相对偏压极性有显著的非对称,其电流及电导的大小明显地依赖于分子与电极的接触距离,即非对称接触能导致器件伏安特性的弱整流效应.分析表明最高占据分子轨道(HOMO)是器件的共振隧穿轨道,偏压作用使器件充电进而移动HOMO是I(G)-V非对称性的内在原因.
张振华杨中芹袁剑辉邱明
关键词:分子器件伏安特性态密度
LSDA+U方法对富勒烯内掺稀土原子的结构和电子结构的理论研究被引量:2
2000年
在密度泛函理论框架下的局域密度近似方法 (LDA)能够准确地给出广延态电子体系的基态电子结构 ,是研究复杂体系的电子结构的一种非常成功的方法。由于这种方法不含参数 ,被广泛地用于微观体系的研究。但是 ,在处理的体系中含有局域电子时 ,由于方法的局限 ,给出的结果与光电子谱等试验结果符合得并不好。LSDA +U方法是在局域自旋密度近似的框架下 ,结合模型哈密顿方法 ,对局域电子采用哈伯德模型描述 ,用以改进局域密度近似计算的一种方法。本文利用局域密度近似下的离散变分团簇方法 (DVM )对于内嵌稀土原子的富勒烯Er2 @C82 、Tm @C82 的电子结构进行了第一性原理的计算。对于体系中所含的稀土原子存在强关联的 4f电子 ,在LDA方法计算的基础上 ,考虑 4f电子在位库仑作用 ,用LSDA +U方法研究了上述体系 ,得到了可以和XPS和吸收谱相比较的结果。
黄忠叶令杨中芹谢希德
关键词:电子结构
生长在GaSb_xP_(1-x)(001)衬底上GaP的能带结构
1996年
采用半经验紧束缚近似方法对生长在GaSbxP1-x(001)衬底上GaP的电子能带结构进行计算。GaP为间接能隙型的半导体,计算表明,当衬底中Sb组分x≥0.57时,应变的GaP薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因应变,GaP原来简并的最低X点导带能级及价带顶(Γ点)能级发生分裂。随着X增大,分裂值变大。文中最后计算了价带能级到导带底跃迁的振子强度,对发光效率作了讨论。
杨中芹徐至中张开明
关键词:紧束缚近似半导体
镧锰氧化物类体系电子结构和磁学性质的理论研究
该文利用局域自旋密度近似(LSDA)下的离散变分团簇及紧束缚线性Muffin-Tin轨道方法分别对未掺杂及锰位掺杂镧锰氧化物类体系的电子结构和磁学性质进行第一性原理计算.因这是一类强关联体系,同时在线性Muffin-Ti...
杨中芹
关键词:局域自旋密度近似电子结构磁结构
文献传递
Novel topological states in two-dimensional materials
In this talk,I will introduce two types of novel topological states found in two-dimensional materials:quantum...
杨中芹周通魏心源赵宝
共1页<1>
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