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3～10GHz平坦增益超宽带CMOSLNA设计被引量：1: 2014年; 提出了一种基于共源共栅及电阻并联反馈结构的超宽带低噪声放大器（LNA）。在3～10GHz的工作频段范围内，采用电阻并联反馈和7c型匹配网络结构，实现宽带输入匹配，并有效减小整个电路的噪声系数。利用共源共栅输出漏极的并联峰化技术，实现平坦的高频增益及噪声的有效抑制。采用源极电感（L8）负反馈及晶体管M3构成的源极跟随器，提高电路的线性度和输出匹配。基于TSMC0．18μmRFCMOS工艺库，采用CadenceSpectreRF，对LNA原理图和版图进行仿真。仿真结果显示，该LNA的S11和S22均小于-10dB，S12小于-32dB，S21为11．38±0．36dB，噪声系数为3．37±0．2dB，P1dB和IIP3分别为-9．41dBm和-2．7dBm。设计的I。NA在带宽内具有良好的输入输出匹配、较好的反向隔离度及线性度、高且平坦的增益和低且平坦的噪声系数。; 王巍钟武徐巍冯其武逶冯世娟袁军; 关键词：超宽带低噪声放大器平坦增益

基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器被引量：1: 2013年; 提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0～10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。; 王巍武逶冯其王川唐政维王振袁军; 关键词：跨阻放大器 CMOS

PIN四象限探测器输出特性的改进研究被引量：4: 2012年; PIN四象限探测器在应用过程中对其输出一致性的要求很高。文章讨论了影响PIN四象限探测器输出一致性的各种因素,并有针对性地提出了相应的改进措施。通过仿真分析,对PIN器件的各项参数进行了优化设计,并制作出了可工作在1 060nm波长、50V偏压下的PIN四象限探测器,其每个象限响应度达到0.3A/W,暗电流小于50nA,四个象限输出不一致性小于10%。然后通过对单个芯片的四个象限分别进行放大电路的安装调试,制作出了输出不一致性小于3%的四象限探测器器件。; 王巍白晨旭冯其武逶张爱华冯世娟; 关键词：四象限探测器

基于绝缘硅超小微环谐振器的微波光子相移器设计被引量：5: 2013年; 设计了一种基于绝缘硅材料的超小微环相移器,能够在自由频谱范围内实现2π相移的同时相移达到最佳线性化.根据全通微环谐振器的相移特性可知,在临界耦合点时微环谐振器达到π的相移,在过耦合领域达到2π相移.分析了直波导宽度及间距两个参量,用精细度F表征间距,讨论了由于这两个参量变化对微环谐振器相移的影响,并且给出了设计的相移范围和相应的功率变化.实验结果表明:若采用40GHz的射频信号,设计的微环相移器射频相移范围为0～4rad,功率变化不到6dB.; 王巍杨丽君武逶冯其白晨旭冯世娟王振; 关键词：绝缘硅射频功率

硅基PIN光电探测器结构参数对其性能的影响被引量：4: 2013年; 对硅基PIN光电探测器器件模型进行了理论分析,讨论了硅基PIN光电探测器的I-V特性与器件的i层厚度和整体宽度的变化关系,并进行了仿真分析。实验结果表明,随着i层厚度从5μm增加到70μm,器件的正向电流逐步减小,且i层厚度与其正向电流成反比;随着器件宽度从50μm增加到90μm,器件的正向电流逐步增大,且器件宽度与其正向电流成正比;引入保护环结构可以明显降低器件的暗电流。对PIN器件的结构参数进行了优化设计,结果表明在所设置的器件工艺条件下,当器件的i层厚度为50μm、整体宽度为70μm时,器件的性能最佳。; 王巍白晨旭冯其武逶冯世娟王振; 关键词：光电探测器 I-V特性

硅基APD器件的工艺及性能仿真分析被引量：8: 2014年; 硅基APD的性能取决于其器件结构与工艺过程。文中对n+-p-π-p+外延结构的APD器件的工艺和器件性能进行了仿真分析,为硅基APD器件的设计提供了理论指导。利用Silvaco软件对APD器件的关键工艺离子注入和扩散工艺进行了仿真,确定工艺参数对杂质的掺杂深度和掺杂分布的影响。并且,对于APD器件的性能进行了分析,对电场分布、增益、量子效率、响应度等参数进行了仿真分析。仿真结果表明:在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的增益为100时,响应度峰值为55A/W左右,在600~900 nm范围内具有较高响应度,峰值波长在810 nm。; 王巍冯其武逶谢玉亭王振冯世娟

应用于10Gb/s光接收机的全差分CMOS跨阻前置电路设计被引量：3: 2015年; 设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 m Vpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18μm CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 f F时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 d BΩ,-3 d B带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 p A/(0~8 GHz)。该电路采用电源电压为1.8 V时,跨阻放大器功耗为28 m W,限幅放大器功耗为80 m W,输出缓冲器功耗为40 m W,其芯片面积为800μm×1 700μm。; 王巍武逶冯其颜琳淑王川王冠宇袁军王振; 关键词：光接收机跨阻放大器限幅放大器

硅PIN光电探测器阵列的串扰分析被引量：7: 2013年; 在利用高密度线性阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件的成像质量。文章对厚度为100μm的背照式PIN光电探测器线性阵列的电串扰特性进行了分析,通过Silvaco TCAD器件仿真软件对阵列的暗电流和光电流进行了仿真,分析了像元间的电串扰特性,同时对比分析了保护环结构对器件的暗电流和电串扰特性的影响。仿真结果表明,保护环结构器件的暗电流和电串扰性能均优于无保护环的结构,在有保护环时PIN器件的串扰是无保护环结构的1/5。; 王巍武逶白晨旭冯其冯世娟王振曹阳; 关键词：串扰保护环

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武逶