2024年7月22日
星期一
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
王成
作品数:
2
被引量:0
H指数:0
供职机构:
重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室
更多>>
发文基金:
重庆市自然科学基金
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
孟丽娅
重庆大学光电工程学院光电技术及...
王庆祥
重庆大学光电工程学院光电技术及...
闫旭亮
重庆大学光电工程学院光电技术及...
刘泽东
重庆大学光电工程学院光电技术及...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
中文期刊文章
领域
2篇
电子电信
主题
2篇
CMOS工艺
1篇
电场
1篇
电场强度
1篇
雪崩
1篇
阵列
1篇
中心距
1篇
像元
1篇
近红外
1篇
红外
1篇
仿真
1篇
盖革模式
1篇
SPAD
1篇
APS
1篇
场强
机构
2篇
重庆大学
作者
2篇
王庆祥
2篇
孟丽娅
2篇
王成
1篇
刘泽东
1篇
闫旭亮
传媒
1篇
半导体技术
1篇
激光与红外
年份
2篇
2014
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
CMOS工艺APS阵列的近红外响应及参数分析
2014年
采用DevEdit3D构建了5×5的像元结构模型,在基于Lnuminous 1μm的近红外的照射下,利用Silvaco TCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的增大而增大,随衬底掺杂浓度的增大而减小;像元间串扰程度与像元中心距的大小以及阱深的深度成反比,与衬底掺杂浓度的大小成正比。最后对以上影响的成因进行了理论分析。
王庆祥
孟丽娅
刘泽东
王成
基于CMOS工艺的单光子雪崩二极管的盖革模式仿真
2014年
采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺和p阱保护环,使用SILVACO公司的ATLAS软件进行器件结构设计和仿真,得到了能正常工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管(SPAD)。仿真结果表明:设计的器件结构中p+/n-阱结降低了结附近的电场强度,并且低于平面pn结的电场强度,从而起到了抑制二极管发生边缘击穿的保护作用;电场强度和碰撞产生率呈正相关,并得出了电子、空穴的雪崩产生率与纵向位置的关系曲线及器件中某一个点处的电子雪崩产生率和偏置电压的关系曲线。仿真结果对基于CMOS工艺的SAPD结构设计具有一定的指导意义。
王成
孟丽娅
王庆祥
闫旭亮
关键词:
盖革模式
电场强度
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张