白云娜
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 快速热处理对电子辐照直拉硅氧沉淀的影响
- 研究了快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）以及热处理气氛对电子辐照直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和清洁区（DZ，Denuded Zone）的影响。采用辐照能量为1.5 MeV、辐照剂量为1...
- 马晓薇陈贵锋郝秋艳白云娜薛晶晶李养贤
- 关键词：直拉硅电子辐照氧沉淀单晶硅
- 文献传递
- 垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟
- 建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进...
- 赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 文献传递
- 垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
- 基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力速度耦合方法进行求解温...
- 赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤
- 关键词：氢化物气相外延温场有限体积法流场
- 文献传递
- GaN薄膜位错对载流子性能影响的研究
- 本文主要研究了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长的GaN 薄膜中穿透性位错对载流子性能的影响。首先通过改变生长参数得到多个具有不同位错密度的GaN 外延薄膜样品，并对部分样...
- 白云娜
- 关键词：GAN薄膜蓝宝石衬底
- 文献传递
- GaN薄膜材料TEM样品的制备
- 2008年
- 研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体GaN材料横截面的薄区图像,加以分析整理从而寻求到了一种透射电镜截面样品的最佳制备工艺。
- 陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤
- 关键词：氮化镓透射电子显微镜
- GaN薄膜材料TEM样品的制备
- 研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面EM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(EM)分析用的'三明治'半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获...
- 陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤
- 关键词：氮化镓透射电子显微镜
- 文献传递
- 垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
- 2008年
- 基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温场通过与具体实验结合选择合适的温度传输模型,分别改变石墨环几何尺寸、流量等条件,得到反应器流场、温场的相应变化。根据对模拟结果进行分析,流场对温场的影响是重要的影响因素,流量的大小直接关系到温场的分布,并把数值模拟结果与实验进行了对比验证。
- 赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤
- 关键词：氢化物气相外延温场有限体积法流场
- 垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟
- 2008年
- 建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结果显示,衬底距离出气口的距离及NH3出气口尺寸是影响GaCl与NH3在衬底上的均匀分布和沉寂速率均匀性的重要因素。衬底不同转速则对本反应室中的GaCl与NH3在衬底上的均匀分布、沉寂速率的均匀性影响不大。通过数值模拟发现反应室存在的缺陷,并利用模拟结果对反应室进行了优化。
- 赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
