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秦杰

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金武汉市科技供需对接计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇信号
  • 2篇信号处理
  • 2篇感器
  • 2篇VHDL
  • 2篇ALN薄膜
  • 2篇FBAR
  • 2篇处理电路
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇传感器信号
  • 1篇导体
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇体声波
  • 1篇体声波谐振器
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇频率检测
  • 1篇稀磁半导体

机构

  • 4篇湖北大学

作者

  • 4篇顾豪爽
  • 4篇秦杰
  • 4篇熊娟
  • 3篇钟伟明
  • 1篇杜鹏飞
  • 1篇杨洋
  • 1篇谢红

传媒

  • 2篇湖北大学学报...
  • 1篇微型机与应用
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
FBAR传感器信号处理电路的设计
介绍ALN薄膜体声波(FBAR)传感器的原理以及信号处理电路的原理,着重设计了传感器的频率检测电路.频率检测电路采用VHDL语言对各个电路子模块编写相应的代码,并利用quartus9.0完成了仿真.仿真结果相对精度达到1...
秦杰熊娟钟伟明顾豪爽
关键词:FBAR信号处理频率检测VHDL
基于Mo/SiO_2布拉格声反射器的体声波谐振器的制备及其性能分析
2012年
采用射频反应磁控溅射法在p型(100)单晶硅衬底上交替沉积Mo/SiO2薄膜作为布拉格声学反射层,通过原子力显微镜(AFM)及扫描电子显微镜(SEM)分别表征声反射层薄膜的表面和截面形貌,研究溅射工艺条件对SiO2薄膜微观形貌的影响.采用MEMS工艺流程制备基于c轴择优取向AlN压电薄膜的SMR型谐振器.并对谐振器的S11参数进行测试分析,得到谐振器的中心频率为1.7GHz,表明实验所制备的SMR型谐振器在质量传感方面具有一定的应用前景.
谢红熊娟杜鹏飞钟伟明秦杰顾豪爽
关键词:ALN薄膜
掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究被引量:1
2012年
采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.
钟伟明秦杰熊娟顾豪爽
关键词:稀磁半导体射频磁控溅射室温铁磁性
FBAR传感器信号处理电路的设计被引量:1
2013年
介绍了AIN薄膜体声波(FBAR)传感器以及信号处理电路的原理,着重设计了传感器的频率检测电路。频率检测电路采用VHDL语言对各个电路子模块编写相应的代码,并利用Quartus9.0完成了仿真。仿真结果表明,相对精度为10-6,达到了预期的设想,满足了FBAR传感器的要求。
秦杰杨洋熊娟顾豪爽
关键词:FBAR信号处理VHDL
共1页<1>
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