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谢红

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇体声波
  • 2篇体声波谐振器
  • 2篇谐振器
  • 2篇ALN薄膜
  • 1篇压电薄膜
  • 1篇厚度
  • 1篇反射器
  • 1篇O2
  • 1篇SM
  • 1篇ALN
  • 1篇MO/SI

机构

  • 3篇湖北大学

作者

  • 3篇杜鹏飞
  • 3篇顾豪爽
  • 3篇熊娟
  • 3篇谢红
  • 2篇钟伟明
  • 1篇秦杰
  • 1篇吴雯

传媒

  • 2篇湖北大学学报...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
C轴倾斜AlN薄膜的制备研究
2011年
采用射频磁控反应溅射,利用两步气压法在Pt电极上制备C轴倾斜的A1N压电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析两步气压下制备的A1N薄膜的择优取向,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的截面形貌.实验结果表明在优化工艺参数条件下制备的AlN薄膜为C轴倾斜的柱状晶,且柱状晶与C轴的倾斜角度达到5°.并且初步探讨两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜的生长机理.
杜鹏飞熊娟吴雯谢红顾豪爽
关键词：ALN薄膜
基于Mo/SiO_2布拉格声反射器的体声波谐振器的制备及其性能分析
2012年
采用射频反应磁控溅射法在p型(100)单晶硅衬底上交替沉积Mo/SiO2薄膜作为布拉格声学反射层,通过原子力显微镜(AFM)及扫描电子显微镜(SEM)分别表征声反射层薄膜的表面和截面形貌,研究溅射工艺条件对SiO2薄膜微观形貌的影响.采用MEMS工艺流程制备基于c轴择优取向AlN压电薄膜的SMR型谐振器.并对谐振器的S11参数进行测试分析,得到谐振器的中心频率为1.7GHz,表明实验所制备的SMR型谐振器在质量传感方面具有一定的应用前景.
谢红熊娟杜鹏飞钟伟明秦杰顾豪爽
关键词：ALN薄膜
c轴倾斜压电薄膜体声波谐振器的研制与分析
压电薄膜体声波传感器因其具有灵敏度高、尺寸小、易于集成等优点代表了未来传感器的发展方向。体声波传感器用于液体检测时，以厚度剪切模式振动的压电振子将减少声波能量在液体介质中的损耗，有利于提高传感器的灵敏度及品质因数。本文采...
顾豪爽熊娟杜鹏飞谢红钟伟明
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