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罗亚烽

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 8篇动态随机存储...
  • 8篇随机存储器
  • 8篇铁电
  • 8篇衬底
  • 8篇存储器
  • 6篇合金
  • 6篇合金化
  • 6篇合金化处理
  • 4篇介质
  • 4篇介质薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇氧化物
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇气相沉积
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇铋系
  • 2篇锆钛酸铅
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇隔离层

机构

  • 8篇清华大学

作者

  • 8篇任天令
  • 8篇冯婷婷
  • 8篇刘理天
  • 8篇韩学光
  • 8篇罗亚烽
  • 8篇谢丹

年份

  • 4篇2012
  • 4篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：HfO<Sub>2</Sub>、Hf-Al-O、TiO<Sub>2</Sub>、Al<Sub...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
文献传递
基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法
本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：ZrO<Sub>2</Sub>或TiO<Sub>2</Sub>；铁电薄膜层为BXT或BXFY中的...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
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基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO<Sub>2</Sub>、T...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
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基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器制备方法属于微电子新材料与器件技术领域，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于测试该存储器的衬底接触区和衬底接触电极；其中，隔离...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
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基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法
本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：ZrO<Sub>2</Sub>或TiO<Sub>2</Sub>；铁电薄膜层为BXT或BXFY中的...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO<Sub>2</Sub>、T...
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基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：HfO<Sub>2</Sub>、Hf-Al-O、TiO<Sub>2</Sub>、Al<Sub...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器制备方法属于微电子新材料与器件技术领域，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于测试该存储器的衬底接触区和衬底接触电极；其中，隔离...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
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