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罗威

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：核科学技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 9篇等离子体
  • 9篇离子注入
  • 7篇等离子
  • 7篇等离子体浸没...
  • 7篇离子
  • 5篇探测器
  • 5篇掺杂
  • 3篇能量分辨率
  • 3篇漂移
  • 3篇浸没
  • 3篇扩散
  • 2篇电感耦合
  • 2篇载流子
  • 2篇势垒
  • 2篇偏压
  • 2篇气体
  • 2篇气体分布
  • 2篇离子掺杂
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流

机构

  • 16篇中国科学院微...

作者

  • 16篇罗威
  • 9篇夏洋
  • 9篇汪明刚
  • 9篇李勇滔
  • 9篇罗小晨
  • 9篇刘杰
  • 7篇李超波
  • 7篇贾锐
  • 4篇陶科
  • 2篇李晓波
  • 1篇王鑫华
  • 1篇姜帅

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
等离子体浸没离子注入设备
本发明公开了一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，所述离子注入腔室内四壁设有内衬，所述内衬由包含硅成分的整块材料制成。通过本发明提出的设备可减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的...
刘杰汪明刚夏洋李超波罗威罗小晨李勇滔
文献传递
一种微条探测器及其制备方法
本发明公开一种微条探测器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。微条探测器包括：衬底，以及依次形成在所述衬底上的第一钝化层和第一微条电极层；其中，所述第一钝化层用于减小所述第一微条电极层与所述衬底之间形成的表面态并提高势垒...
贾锐王博龙陶科罗威汪龙杰李明辉
用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
本实用新型公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动...
刘杰汪明刚夏洋李超波罗威罗小晨李勇滔
文献传递
用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
本发明公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动隔板...
刘杰汪明刚夏洋李晓波罗威罗小晨李勇滔
文献传递
用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
本发明公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动隔板...
刘杰汪明刚夏洋李晓波罗威罗小晨李勇滔
一种微条探测器及其制备方法
本发明公开一种微条探测器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。微条探测器包括：衬底，以及依次形成在所述衬底上的第一钝化层和第一微条电极层；其中，所述第一钝化层用于减小所述第一微条电极层与所述衬底之间形成的表面态并提高势垒...
贾锐王博龙陶科罗威汪龙杰李明辉
基片离子均匀注入的方法
本发明公开了一种基片离子均匀注入的方法，包括通过电感耦合的放电方式使掺杂源腔室在高气压下放电产生高密度等离子体；等离子体通过隔板均匀扩散到离子注入腔室；及在注入电极脉冲偏压作用下，离子注入腔室的等离子体中的离子加速注入到...
刘杰汪明刚夏洋李超波罗威罗小晨李勇滔
一种硅基漂移探测器
本发明涉及一种硅基漂移探测器，属于半导体器件技术领域，解决了现有技术中漂移探测器的集电电极局限于设置在漂移区的中央会造成漂移区内载流子的损失，从而引起探测器能量分辨率下降的问题。所述硅基漂移探测器包括：衬底、集电电极、背...
贾锐罗威李星汪龙杰王博龙李明辉
一种等离子体浸没离子注入系统
本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本发明提既提高了掺杂注...
李超波刘杰汪明刚夏洋罗威罗小晨李勇滔
文献传递
一种半导体器件的缺陷表征方法
本申请提供了一种半导体器件的缺陷表征方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取半导体器件的电容电压特性，并根据电容电压特性，获取半导体器件的电容频率特性以及计算半导体器件的空间电荷区的自建电势、耗尽区宽度；根据电容频率特...
朱纪武贾锐李星田小让罗威汪龙杰
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