董肖
- 作品数：13 被引量：20H指数：3
- 供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：博士科研启动基金甘肃省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Mg(NH_2)_2与LiH放氢反应机理的密度泛函理论研究被引量：1
- 2012年
- 采用密度泛函理论B3LYP方法研究Mg(NH2)2与LiH放氢反应机理,在6-311G(d,p)基组水平上对反应物、中间体、过渡态及产物进行全几何参数优化,频率分析和内禀反应坐标(IRC)计算证实中间体和过渡态的正确性和相互连接关系.计算结果表明,反应分三个阶段,包括第一步氢取代反应,第二步氢取代反应和脱氢后的异构化反应.反应有两条途径,其中第二步对位氢取代反应所对应通道为主反应通道.反应释放的H2中两个氢原子分别来源于Mg(NH2)2和LiH.
- 陈玉红董肖吕晓霞张梅玲张材荣康龙罗永春
- 关键词：密度泛函理论LIH过渡态
- NH3与BeH2反应机理的密度泛函理论研究被引量：1
- 2019年
- 金属-N-H体系储氢材料在放氢反应过程中往往伴随着NH3的释放,且NH3会对材料的储放氢性能产生重要影响.采用密度泛函理论当中的杂化密度泛函(B3LYP)方法,6-311G(d,p)基组水平上对NH3与BeH2的微观反应机理进行了理论计算分析,对得到的中间体和过渡态进行频率计算和内禀反应坐标(IRC)分析,以判断中间体和过渡态的正确性和相互连接关系.使用QCISD方法在6-311G(d,p)基组水平对各驻点的单点能进行计算,给出能量信息.计算结果表明:BeH2与NH3主要以摩尔比为1:2进行反应,分两步氢取代过程,生成产物Be(NH2)2和2H2.反应所释放的H2中两个H原子分别来源于BeH2和NH3,反应的关键是脱氢,主要在于克服N-H键断裂所需能量.相比较而言从NH3中脱氢比从-NH2中脱氢较易.
- 董肖
- 关键词：密度泛函理论NH3过渡态反应机理
- H_2分子在Li_2NH(110)表面吸附的第一性原理研究被引量：4
- 2013年
- 采用第一性原理方法研究了H2分子在Li2NH(110)晶面的表面吸附。通过研究Li2NH(110)/H2体系的吸附位置、吸附能和电子结构,发现H2分子吸附在Li长桥位时会发生解离,并在Li2NH(110)面形成NH2基,其吸附能为1.178 eV,属于强化学吸附,吸附最稳定。此时,NH2基中的H原子与Li2NH表面的相互作用主要源于H 1s轨道与Li2NH表层N原子的2s,2p轨道重叠杂化的贡献,且N–H键为共价键;另一个H原子与Li2NH表面的相互作用主要是与Li之间的离子键作用;H2分子的解离能垒为1.31 eV,表明在一定热激活条件下H2分子在Li2NH(110)表面发生解离吸附。N顶位吸附时,优化结束后形成NH3,但该吸附方式不稳定,可见Li2NH(110)面与H2反应不易直接生成NH3。
- 陈玉红吕晓霞杜瑞董肖张材荣康龙罗永春
- 关键词：第一性原理H2吸附能解离
- Li-Mg-N-H系储氢材料放氢反应机理的理论研究
- 金属络合物储氢材料的储氢质量百分密度较高，而且具有一定的可逆性，近年来M-N-H(M是指Ⅰ-Ⅳ族和一些过渡族金属)系列储氢络合物备受关注。目前，对M-N-H系列储氢络合物的储放氢反应机理的研究还十分有限。本文主要运用密度...
- 董肖
- 关键词：能级图
- 不同烧结温度与工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
- 2016年
- 对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体是否预氧化处理对陶瓷材料的影响.结果表明:经过预氧化处理的样品比未经预氧化处理的样品存在较多孔隙,且烧结后质量损失程度大;无论是否经过预氧化处理,样品中均出现了Y3Al5O12相(YAG).
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- 关键词：碳化硅陶瓷预氧化
- NdOCl-MgO-Al_2O_3烧结助剂配比对SiC陶瓷结构与形貌的影响被引量：2
- 2017年
- 采用无压液相烧结方法,制备烧结助剂总质量分数为11%,NdOCl-MgO-Al_2O_3配比不同的SiC陶瓷.利用XRD、SEM对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行分析,结果表明:SiC+(Al_2O_3-MgO-NdOCl)系列陶瓷样品中主晶相均为6H-SiC,其中烧结助剂配比为2∶5∶4的SiC陶瓷样品,晶粒簇拥黏结较为明显,颗粒分布较为均匀,孔隙较少.
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- 关键词：碳化硅陶瓷无压烧结烧结助剂表面形貌
- NH_3与MgH_2反应机理的密度泛函理论研究被引量：3
- 2016年
- 采用密度泛函理论B3LYP方法研究了NH_3与MgH_2的放氢反应机理,在6-311G(d,p)基组水平上对反应物、中间体、过渡态及产物进行了全几何参数优化.频率分析和内禀反应坐标(IRC)计算证实了中间体和过渡态的正确性和相互连接关系.计算结果表明:反应分两步单通道的氢取代过程,且反应过程相类似,反应生成Mg(NH_2)_2和2H_2.两步氢取代反应所释放的H_2中两个H原子分别来源于NH_3和MgH_2.反应脱氢的关键在于克服N—H键断裂所需能量.
- 董肖
- 关键词：密度泛函理论NH3过渡态反应机理
- NdOCl-MgO助烧剂配比对SiC陶瓷烧结及介电性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用无压液相烧结方法,制备Nd OCl-Mg O助烧剂总质量分数为9%,Nd OCl/Mg O不同配比的Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行检测分析,并研究讨论了助烧剂不同配比对Si C陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着Nd OCl/Mg O比例的增加,样品中孔隙有减少趋势;Nd OCl与Mg O配比为4∶5时样品相对介电常数及介电损耗均比配比为2∶7时要小,二者介电损耗随温度变化近似线性变化.
- 董肖杜卫平朱强张晓旭玛迪娜赵兴宇杜斌
- 关键词：SIC陶瓷
- NH3与MH(M=Li,Na)反应机理的密度泛函理论研究被引量：6
- 2012年
- 采用密度泛函理论B3LYP方法研究了NH_3与MH(M=Li,Na)的放氢反应机理.在6-311G(2d.2p)基组水平上对反应物、中间体、过渡态及产物进行了全几何参数优化.频率分析和内禀反应坐标(IRC)计算证实了中间体和过渡态的正确性和相互连接关系.计算结果表明,NH_2与MH(M=Li,Na)的反应均为单通道的氢取代反应,反应生成LiNH_2(NaNH_2)与H_2.
- 董肖陈玉红吕晓霞
- 关键词：密度泛函理论NH3过渡态反应机理
- Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂对SiC陶瓷表面形貌的影响被引量：4
- 2015年
- 利用Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷表面氧化产物相组成和微观形貌.结果表明:烧结助剂为wt(2%Al2O3+4%MgO+4%Y2O3)所制备的SiC陶瓷所形成的颗粒较为光滑,且孔隙相对较小.
- 张晓旭石秀丽朱强玛迪娜李志鹏董肖薛明明
- 关键词：碳化硅陶瓷烧结助剂无压烧结
