朱强
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- NdOCl-MgO-Al_2O_3烧结助剂配比对SiC陶瓷结构与形貌的影响被引量：2
- 2017年
- 采用无压液相烧结方法,制备烧结助剂总质量分数为11%,NdOCl-MgO-Al_2O_3配比不同的SiC陶瓷.利用XRD、SEM对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行分析,结果表明:SiC+(Al_2O_3-MgO-NdOCl)系列陶瓷样品中主晶相均为6H-SiC,其中烧结助剂配比为2∶5∶4的SiC陶瓷样品,晶粒簇拥黏结较为明显,颗粒分布较为均匀,孔隙较少.
- 萨娜玛迪娜.马合木提朱强马玉兰李志鹏张政薛明明董肖
- 关键词：碳化硅陶瓷无压烧结烧结助剂表面形貌
- NdOCl-MgO助烧剂配比对SiC陶瓷烧结及介电性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用无压液相烧结方法,制备Nd OCl-Mg O助烧剂总质量分数为9%,Nd OCl/Mg O不同配比的Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行检测分析,并研究讨论了助烧剂不同配比对Si C陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着Nd OCl/Mg O比例的增加,样品中孔隙有减少趋势;Nd OCl与Mg O配比为4∶5时样品相对介电常数及介电损耗均比配比为2∶7时要小,二者介电损耗随温度变化近似线性变化.
- 董肖杜卫平朱强张晓旭玛迪娜赵兴宇杜斌
- 关键词：SIC陶瓷
- MgO-CeO_2-Y_2O_3为助烧剂SiC陶瓷的无压烧结及物相与表面形貌研究被引量：1
- 2016年
- 以Mg O-Ce O_2-Y_2O_3为助烧剂,采用无压液相烧结法,在1 900℃下制备Si C陶瓷.利用XRD、SEM和精密体积密度分析测试仪对陶瓷样品表面氧化产物相组成、微观形貌及体密度进行了检测分析.结果表明:各陶瓷样品的主晶相均为6H-Si C;助烧剂为wt.%(5%Mg O-3%Ce O_2-2%Y_2O_3)所制备的碳化硅陶瓷所形成的颗粒较为光滑,颗粒尺寸较为均匀,其孔隙相对较小;随着助烧剂氧化铈含量的增多,样品质量损失减少,体密度增大.
- 朱丹丹朱强鲁媛媛石秀丽李志鹏马玉兰周恒为鹿桂花尹红梅
- 关键词：助烧剂无压烧结表面形貌
- 不同烧结温度与工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
- 2016年
- 对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体是否预氧化处理对陶瓷材料的影响.结果表明:经过预氧化处理的样品比未经预氧化处理的样品存在较多孔隙,且烧结后质量损失程度大;无论是否经过预氧化处理,样品中均出现了Y3Al5O12相(YAG).
- 杜卫平朱强董肖王丽娜萨娜玛迪娜朱丹丹
- 关键词：碳化硅陶瓷预氧化
- 不同保温时间对SiC复合陶瓷结构与形貌的影响被引量：2
- 2018年
- 本文采用无压液相烧结工艺,以Al_2O_3-MgO-Y_2O_3体系为烧结助剂,烧结温度为1 900℃,保温时间分别为1 h,1.5 h和2 h,制备SiC复合陶瓷,利用XRD和SEM方法研究了SiC陶瓷的物相组成和显微组织形貌。结果表明:保温2 h时,SiC陶瓷主晶相为6H-SiC,且是单相SiC;陶瓷体表面光滑,致密性良好,密度为2.959 g/cm^3,所以2 h为最佳保温时间。
- 鹿桂花周恒为李志鹏朱强
- 关键词：碳化硅陶瓷保温时间物相组成
- Al_2O_3-La_2O_3烧结助剂配比对SiC陶瓷结构与形貌的影响
- 2015年
- 以Al_2O_3和La_2O_3作为烧结助剂,在1900℃下采用无压烧结技术制备了SiC陶瓷,用XRD、SEM方法对陶瓷样品的微观结构及表面形貌进行了检测分析.结果表明:烧结体中主晶相均为6H-Si C相,烧结助剂Al_2O_3与La_2O_3体积比为2∶8时所制备的陶瓷样品颗粒较为光滑,且孔隙相对较少.
- 玛迪娜.马合木提朱强张晓旭董肖鲁媛媛王玉玉薛明明
- 关键词：无压烧结烧结助剂表面形貌
- 不同制备工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
- 2015年
- 采用不同制备工艺(即Si C粉体的预氧化处理),以Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备Si C陶瓷.用XRD和SEM分析Si C陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的Si C陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高;Si C粉料经预氧化处理后,在烧结过程中产生Y_3Al_5O_(12)相,但密度相对较低.
- 朱强张晓旭玛迪娜朱丹丹张强王艳辉董肖薛明明
- 关键词：碳化硅陶瓷预氧化
- Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂对SiC陶瓷表面形貌的影响被引量：4
- 2015年
- 利用Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷表面氧化产物相组成和微观形貌.结果表明:烧结助剂为wt(2%Al2O3+4%MgO+4%Y2O3)所制备的SiC陶瓷所形成的颗粒较为光滑,且孔隙相对较小.
- 张晓旭石秀丽朱强玛迪娜李志鹏董肖薛明明
- 关键词：碳化硅陶瓷烧结助剂无压烧结
- 烧结升温速率对钛酸钡陶瓷压电性能的影响被引量：2
- 2017年
- 采用固相反应方法在不同烧结升温速率下制备了BaTiO_3陶瓷,并对陶瓷样品的晶体结构、表面形貌、介电、压电和铁电性能进行了测试和分析。结果表明:当烧结升温速率为3℃/min和5℃/min时陶瓷均为四方钙钛矿晶格结构,随升温速率的增大,四方相程度增强,材料平均晶粒尺寸减小,压电系数和铁电性能随之降低,但介电常数随之增大,当烧结升温速率为5℃/min介电常数最大,其值为3144。当烧结升温速率为1℃/min时陶瓷为正交钙钛矿晶格结构d_(33)和P_r最大,其值为P_r=10μC/cm^2和d_(33)=193 pC/N。
- 朱强周恒为张超尹红梅
- 关键词：钛酸钡陶瓷固相反应法升温速率压电性能
