董雅娟
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技厅基金江苏省高技术研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电极形状对GaN基发光二极管芯片性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用Crosslight APSYS这一行业专业软件对p-GaN,InGaN/InGaN多量子阱,n-GaN和蓝宝石的芯片结构研究了不同电极形状与器件的光电性能之间的关系.优化设计了普通指形电极、对称型指形电极、h形指形电极、旋转形电极、中心环绕形电极、树形电极等6种电极结构.通过电极优化设计,电流分布更加均匀,减小了电流的聚集效应.优化后的电极结构结果表明:芯片的电特性得到了提高,芯片的光特性得到了明显改善,芯片的出光效率大幅度提高,芯片的转化效率得到了提升.
- 宋雪云张俊兵曾祥华董雅娟
- 关键词：光电性能
- 大功率ODRLED性能研究
- 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的光强提高了244 mcd,极大提高了发光强度；...
- 董雅娟张俊兵金豫浙林岳明陈海涛曾祥华
- 关键词：发光二极管ODR大功率GAN
- 不同电极形状GaN基蓝光LED的γ辐照效应
- 2013年
- 通过γ辐照和电流加速老化的方法研究环形、旋转形、中心环绕形、树形等4种电极芯片的抗辐射性能.结果表明:与环形电极相比,3种新型电极的抗辐射性能较好;随着辐照剂量的增加,环形电极的工作电压明显高于3种新型电极,而且辐照后环形电极的主波长和峰值波长红移现象明显,光通量和发光效率衰减更加明显;老化实验得知γ辐照后新型电极的寿命优于环形电极;通过对发光二极管(LED)芯片的电极进行优化,不仅可以减少电流的拥挤效应,而且可提升芯片的抗辐射性能,延长LED器件的使用寿命.
- 王秀茜卢俊峰董雅娟张俊兵宋雪云曾祥华
- 关键词：GAN基发光二极管Γ辐射
- 大功率全方位反射镜发光二极管性能研究
- 2011年
- 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱全方位反射镜(ODR)发光二极管(LED)的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR芯片比普通芯片的光强提高了244mcd,极大提高了发光强度;ODRLED光通量、光效、色纯度比普通LED分别提高了6.04%,5.74%,78.64%.ODRLED具有绝对优势是其色温要比普通LED的色温低1804K,明显改善大功率LED的色温缺陷.
- 董雅娟张俊兵陈海涛曾祥华
- 关键词：发光二极管ODR
- GaN基不同电极形状的LED性能比较被引量：3
- 2011年
- 对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。
- 董雅娟张俊兵林岳明金豫浙王书昶曾祥华
- 关键词：GAN发光二极管光电性能
