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赵迪

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：政治法律自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇政治法律

主题

  • 3篇氧
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇散热
  • 2篇散热基板
  • 2篇重掺杂
  • 2篇温度场
  • 2篇温度均匀性
  • 2篇均匀性
  • 2篇击穿电压
  • 2篇基板
  • 2篇功率
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇SOI_LD...
  • 2篇MOS器件
  • 2篇大功率
  • 1篇淀积
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶材料

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇赵迪
  • 6篇黄建国
  • 6篇王向展
  • 4篇张易
  • 4篇于奇
  • 4篇刘洋
  • 2篇欧文
  • 2篇陈南庭
  • 2篇曾庆平

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2010
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件
本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展...
王向展邹淅张易黄建国赵迪于奇刘洋
技术赋能视角下深化“放管服”改革优化营商环境的效应研究
新一代信息技术蓬勃发展，自从引发信息技术革命以来，正在全世界范围内影响着各国的社会治理、政府治理以及产业发展。同时，在我国，自从党的十八大以来，“放管服”改革的内涵得到了逐渐的更新与明确。　　本文聚焦技术手段在深化“放管...
赵迪
关键词：营商环境责任政府整体性治理
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大功率LED模组
本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有大功率LED模组中，由于功率集中和温度场的叠加效应而引起基板中心温度过高问题，提供了一种大功率LED模组，其技术方案可概括为：大功率LED模组，包括散热基板及多个发光芯片，每个发...
王向展 邹淅黄建国赵迪陈南庭欧文 张衡明
文献传递
超薄SiGe虚拟衬底的制备与建模
在Moore定律的推动下，晶体管尺寸逐渐缩小，集成电路集成度越来越高，当特征尺寸进入到纳米量级，晶体管性能会受到小尺寸效应的影响。包括SiGe材料在内的应变Si技术，以其诸多优点成为现阶段保持Moore定律、同时提升器件...
赵迪
关键词：应变弛豫离子注入
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克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件
本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展...
王向展邹淅张易黄建国赵迪于奇刘洋
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大功率LED模组
本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有大功率LED模组中，由于功率集中和温度场的叠加效应而引起基板中心温度过高问题，提供了一种大功率LED模组，其技术方案可概括为：大功率LED模组，包括散热基板及多个发光芯片，每个发...
王向展 邹淅黄建国赵迪陈南庭欧文 张衡明
一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法
本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移...
王向展邹淅黄建国赵迪张易曾庆平于奇刘洋
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远程主机信息采集系统的设计与实现
随着局域网技术的不断发展,由其带来的管理问题愈加严重。系统架构不合理、内网软硬件资源管理不透明、内网服务器压力过大、病毒木马的肆虐传播等诸多问题越来越引起各公司企业的重视。通过采集分析内网主机信息数据,可以了解整个局域网...
赵迪
关键词：信息采集WMISNMPJAVA
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一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法
本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移...
王向展邹淅黄建国赵迪张易曾庆平于奇刘洋
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