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张易

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：医药卫生自动化与计算机技术经济管理电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇压应力
  • 3篇应力
  • 3篇漂移区
  • 3篇击穿电压
  • 3篇本征
  • 3篇LDMOS器...
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电场线
  • 2篇电流
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇氧化层
  • 2篇源区
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇重掺杂
  • 2篇金属栅
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇张易
  • 8篇于奇
  • 8篇王向展
  • 4篇黄建国
  • 4篇刘洋
  • 4篇赵迪
  • 4篇刘葳
  • 2篇曾庆平
  • 2篇孙占杰
  • 2篇曹建强

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2007
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
客户通信费用误差处理系统
移动通讯行业方兴未艾，蓬勃发展，成为二十一世纪最具发展前景的行业之一。据信息产业部最新统计数据显示中国移动用户数已达3亿，居世界第一，庞大的用户群为移动领域带来了巨大的商机。随着通信行业的跨越式发展，在移动通信领域电信运...
张易
关键词：服务质量电信运营商
文献传递
克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件
本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展...
王向展邹淅张易黄建国赵迪于奇刘洋
一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法
本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移...
王向展邹淅黄建国赵迪张易曾庆平于奇刘洋
一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管
本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9，还包括位于本...
王向展刘葳张易孙占杰曹建强于奇
文献传递
采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件
本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏...
王向展张易邹淅刘葳于奇
文献传递
克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件
本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展...
王向展邹淅张易黄建国赵迪于奇刘洋
文献传递
ARL2在哺乳动物感光细胞中的功能研究
眼睛作为视觉形成的基础，其内部最为关键的结构组织是视网膜。视网膜承担着将光信号转导为视觉神经电信号的作用，而这一系列的光生化转变都依托于视网膜感光细胞层的存在。感光细胞层包含视杆和视锥两种感光细胞，分别主司暗视觉和明视觉...
张易
关键词：视网膜色素变性微管蛋白感光细胞生物学功能
一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管
本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9，还包括位于本...
王向展刘葳张易孙占杰曹建强于奇
文献传递
沟道和漂移区正应变的LDMOS器件制作方案和优化
在小尺寸器件中被广泛研究和采用的应变硅技术，通过对硅的能带结构进行裁剪，有效减小载流子的有效质量和散射率，提升载流子的迁移率。随着无线通信技术的飞速发展，为了适应高速高质量的信息传输需求，在基站和手持设备中被大量使用的硅...
张易
关键词：应变硅技术氮化硅薄膜
一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法
本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移...
王向展邹淅黄建国赵迪张易曾庆平于奇刘洋
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